H57V1262GFR-70I 时间：2025/9/1 22:41:09 阅读：8

H57V1262GFR-70I 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，广泛应用于需要高速数据处理的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。该芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装技术，确保了在高频工作下的稳定性和可靠性。其主要特点包括高存储容量、快速存取速度以及适用于工业级温度范围的特性，使其在工业和高端应用中表现优异。

参数

容量：256MB
　　组织结构：16M x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：54-ball FBGA
　　温度范围：-40°C至+85°C
　　速度等级：70MHz
　　访问时间：5.4ns
　　数据保持电压：2.1V
　　工作模式：异步/同步

特性

H57V1262GFR-70I 的核心特性之一是其低功耗设计，使其适用于对功耗敏感的应用场景，如便携式工业设备和电池供电系统。其异步和同步操作模式允许其在多种系统架构中灵活使用，同时通过高速数据访问能力满足了实时数据处理的需求。
　　此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，从而在保持数据完整性的同时进一步降低功耗。其54-ball FBGA封装不仅减小了PCB占用空间，还提高了高频操作下的电气性能和散热效率。
　　该芯片的宽电压范围（2.3V至3.6V）增强了其在不同电源条件下的适应性，而数据保持电压可低至2.1V，这在低电压环境下提供了额外的容错能力。同时，H57V1262GFR-70I 支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在恶劣环境条件下的稳定运行，适合工业自动化、通信基础设施和车载电子系统等应用领域。

应用

H57V1262GFR-70I 被广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的工业设备和通信系统中。典型应用包括工业控制主板、嵌入式系统、网络路由器和交换机、智能电表、医疗设备以及车载信息娱乐系统等。由于其宽温特性和高稳定性，该芯片也适用于户外设备和环境监测仪器等应用场景。在需要长时间可靠运行的系统中，H57V1262GFR-70I 提供了稳定的数据存储支持。