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2SK2517-01S 发布时间 时间:2025/8/9 11:03:35 查看 阅读:23

2SK2517-01S是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,专为高频开关应用设计。该器件适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及各类高频功率开关电路。2SK2517-01S采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供低导通电阻和高开关速度,有助于提高系统的整体效率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(最大)
  最大功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-252(DPak)

特性

2SK2517-01S MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))为45mΩ,可以显著降低导通损耗,提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要,例如电源转换器和DC-DC变换器。
  其次,该器件的最大漏源电压为60V,适用于中等功率的开关电路。栅源电压范围为±20V,确保在高电压驱动条件下器件的稳定性。最大连续漏极电流为30A,适用于高电流负载应用,如电机驱动和功率放大器。
  此外,2SK2517-01S采用TO-252(DPak)封装,具有良好的散热性能,能够在较高功耗条件下保持稳定运行。该封装形式也便于PCB布局和自动化焊接。
  该MOSFET的开关速度快,适合用于高频应用,减少开关损耗并提高系统的响应速度。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于广泛的工业和消费类电子应用,确保在不同环境条件下的稳定性和可靠性。
  最后,该器件的额定功耗为150W,能够在较高的工作条件下提供稳定的性能,适用于要求高效率和高可靠性的电力电子系统。

应用

2SK2517-01S广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的应用之一是DC-DC转换器,用于提高或降低电压,适用于电池供电设备、笔记本电脑电源适配器和LED驱动电路。
  它还常用于电源管理系统,例如在服务器和电信设备中进行电压调节和负载切换。在电机控制电路中,该MOSFET可用于H桥驱动,实现对电机方向和速度的精确控制。
  此外,该器件适用于功率放大器和音频放大器设计,提供高效率的输出级开关。在太阳能逆变器和UPS系统中,2SK2517-01S可用于高效的功率转换和管理。
  由于其高开关速度和低导通电阻,该MOSFET也适用于高频开关电源和PWM(脉宽调制)控制电路,以提高整体系统的能效和响应速度。

替代型号

Si4410BDY, IRFZ44N, FDP33N06, 2SK3084

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