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H55S5132EFP-75M 发布时间 时间:2025/9/1 17:27:11 查看 阅读:6

H55S5132EFP-75M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速DRAM存储器系列。这款芯片采用SDRAM(同步动态随机存取存储器)技术,专为高性能计算和存储应用设计。其主要特点是高速数据传输率、低延迟以及适用于嵌入式系统和计算机外围设备。

参数

容量:64MB
  类型:DRAM
  速度:166MHz
  数据速率:75MHz
  电压:3.3V
  封装:TSOP
  引脚数:54
  数据宽度:32位
  工作温度:0°C 至 70°C

特性

H55S5132EFP-75M 具有出色的性能和稳定性,其主要特性包括高速同步操作、支持突发模式、低功耗设计以及较高的数据传输效率。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)技术,适合高密度电路板布局,同时具备较低的功耗特性,适合在嵌入式设备和便携式电子产品中使用。
  此外,该DRAM芯片支持标准的SDRAM控制器接口,兼容多种处理器和主控芯片,能够满足多种应用对内存带宽和容量的需求。其突发传输模式可以显著提高连续数据读写效率,降低系统延迟,提高整体性能。该芯片的可靠性在工业级应用中也得到了验证,适用于需要长时间运行的设备。

应用

H55S5132EFP-75M 广泛应用于需要中等容量高速内存的电子设备中,包括但不限于个人电脑主板、工业控制设备、网络路由器、多媒体播放器、嵌入式系统、数字电视和机顶盒等产品。由于其高速性和低功耗特性,该芯片特别适合用于需要快速数据处理和存储的场合。

替代型号

H57V2562GTFP-75C, H57V5122GTFP-75C, H57V2562GTFP-75B

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