IRFR15N20DTRPBF. 时间：2025/12/26 21:20:26 阅读：12

IRFR15N20DTRPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件具有200V的漏源击穿电压（V(BR)DSS），连续漏极电流能力在25°C下可达14A，适用于多种开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及工业和消费类电子设备中的功率开关应用。其封装形式为D2PAK（TO-263），属于表面贴装型封装，便于自动化装配并具备良好的散热性能，适合中高功率密度的设计需求。
　　这款MOSFET优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，在保证较低RDS(on)的同时维持了快速的开关速度，从而有助于降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统能效。此外，器件内部集成了一个反并联肖特基二极管，显著降低了体二极管的正向压降和反向恢复电荷，有效减少续流过程中的能量损耗和温升问题，特别适用于硬开关和高频工作环境。IRFR15N20DTRPBF符合RoHS标准，无铅且绿色环保，广泛用于服务器电源、电信设备、照明镇流器及光伏逆变器等领域。

参数

型号：IRFR15N20DTRPBF
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V(BR)DSS）：200V
　　最大漏极电流（ID @ 25°C）：14A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：56A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：180mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：230mΩ
　　阈值电压（VGS(th) min）：3V
　　阈值电压（VGS(th) max）：5V
　　输入电容（Ciss）：950pF
　　输出电容（Coss）：175pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF
　　栅极电荷（Qg typ @ 10V）：32nC
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　反向恢复电荷（Qrr）：20nC
　　二极管正向电压（VSD）：1.35V
　　功耗（PD）：150W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：D2PAK (TO-263)

特性

IRFR15N20DTRPBF采用了英飞凌成熟的沟槽栅场效应晶体管技术，这种结构能够在单位芯片面积内实现更高的载流子迁移率，从而大幅降低导通电阻RDS(on)，提高电流处理能力。该器件的关键优势之一是其集成的肖特基势垒二极管与传统的体二极管并联工作，有效克服了传统MOSFET在续流过程中因体二极管反向恢复特性差而导致的高损耗和电磁干扰问题。这一设计显著减少了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），实测trr仅为25ns，Qrr低至20nC，使得器件在高频开关应用中表现出更优的动态性能和更低的温升。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和长期可靠性，其150W的最大功耗配合D2PAK封装提供的良好热阻特性（典型RθJC = 1.2°C/W），可在严苛的工作环境下保持稳定运行。器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如5V或10V驱动），其中在VGS=10V时RDS(on)典型值可低至160mΩ，而在4.5V驱动下仍能保持230mΩ以下的导通电阻，适用于宽范围的驱动条件，包括基于PWM控制器或微处理器的栅极驱动电路。
　　此外，IRFR15N20DTRPBF具有优异的雪崩耐量和dv/dt抗扰能力，增强了其在感性负载切换和突发过压情况下的鲁棒性。其低输入电容（Ciss=950pF）和反馈电容（Crss=40pF）也有助于减少驱动损耗和米勒效应引起的误触发风险，提升系统的稳定性与效率。所有这些特性使其成为高性能电源转换系统中理想的中高压开关元件。

应用

IRFR15N20DTRPBF广泛应用于各类需要高效、高电压开关操作的电力电子系统中。典型用途包括离线式开关电源（SMPS），尤其是在反激式、正激式和半桥拓扑结构中作为主开关管使用；在DC-DC变换器中，例如升压（Boost）、降压（Buck）或双端变换器中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，有助于提高转换效率并减小散热器体积。由于其内置肖特基二极管有效降低了续流损耗，因此特别适合用于同步整流电路或需要频繁进行能量回馈的应用场景，如电机驱动中的H桥电路、步进电机或直流无刷电机的相位控制。
　　在工业自动化领域，该器件可用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）以及电焊机等大电流开关装置。同时，它也被广泛部署于通信电源、UPS不间断电源系统、太阳能微型逆变器和LED恒流驱动电源中，满足对高可靠性和长寿命的要求。此外，由于其表面贴装D2PAK封装便于自动化生产，并支持PCB散热设计，因此非常适合现代高密度板级电源设计，尤其适用于追求小型化和高功率密度的产品开发。