H55S5132DFR-A3M 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片通常用于需要高速数据存取的应用场景,例如计算机系统、网络设备、嵌入式系统以及其他需要大容量内存的电子设备。该型号属于GDDR5 SDRAM类别,专门优化用于图形处理和高性能计算任务。
容量:512MB
数据宽度:32位
封装类型:FBGA
工作电压:1.5V / 1.35V(支持低电压运行)
时钟频率:最大支持1.75 Gbps
接口标准:GDDR5 SDRAM
温度范围:工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)
封装尺寸:8mm x 13mm(近似值,具体以数据手册为准)
功耗:低功耗设计,适用于高性能图形处理应用
H55S5132DFR-A3M 是一款高性能GDDR5 SDRAM芯片,具有512MB的存储容量和32位的数据总线宽度,使其能够实现高速数据传输。该芯片支持高达1.75 Gbps的数据速率,非常适合用于图形处理器(GPU)、嵌入式视觉系统、高性能计算(HPC)模块以及需要大量内存带宽的其他应用。其低电压设计(1.5V/1.35V)有助于降低整体功耗,同时保持出色的性能表现。此外,该芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,提供良好的散热性能和空间效率,适用于紧凑型设计。
该型号还支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),确保其在恶劣环境条件下也能稳定运行。H55S5132DFR-A3M 通常被用于高端显卡、服务器、工业控制设备以及嵌入式视觉系统等要求高可靠性和高性能的应用中。其高带宽和低延迟特性使其成为图形渲染、视频处理、深度学习和AI加速等任务的理想选择。
H55S5132DFR-A3M 主要应用于高性能图形处理器(GPU)、显卡、游戏主机、嵌入式视觉系统、工业控制设备、AI加速卡、深度学习模块、网络设备、服务器内存扩展模块以及任何需要高速、低功耗内存的电子系统中。该芯片的高带宽和低延迟特性使其特别适合用于图形渲染、视频处理和实时数据计算任务。
H55S5132EFR-A3M, H55S5132GFR-A3M, H55S5132HFR-A3M