HY628100B-LLG70 是由 Hynix(现为 SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于异步SRAM类别。该器件具有较高的速度性能,适用于对数据存储要求较高但不需要动态刷新的系统应用。该芯片封装形式为TSOP(薄型小外形封装),工作温度范围通常为工业级(-40°C至+85°C),适合在多种工业和通信设备中使用。HY628100B-LLG70 的存储容量为128K x 8位,即总容量为1Mbit,具有较低的功耗和较强的抗干扰能力。
容量:128K x 8位(1Mbit)
电压:3.3V 或 5V(视具体版本而定)
访问时间:70ns
封装类型:TSOP
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装引脚数:54引脚
组织结构:128K地址 x 8数据位
输入/输出类型:三态输出
最大工作频率:约14.28 MHz(基于访问时间计算)
封装尺寸:标准TSOP尺寸
HY628100B-LLG70 是一款高性能的异步SRAM芯片,专为需要快速访问和低功耗的应用而设计。其70ns的访问时间使其适用于对响应速度有一定要求的嵌入式系统。该芯片支持3.3V或5V电源供电,这使得它能够兼容多种主机系统和接口电路,无需额外的电平转换器。此外,HY628100B-LLG70 提供了工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保其在恶劣环境下仍能稳定运行。该器件的三态输出功能有助于减少总线争用,提高系统稳定性。其TSOP封装形式不仅节省空间,而且有助于提高高频应用中的电气性能。
在功耗方面,HY628100B-LLG70 在工作和待机模式下的功耗均控制在较低水平,适合用于便携式设备或对能耗敏感的系统。该芯片的异步控制信号(如CE#, OE#, WE#)使其能够灵活地与多种控制器接口连接,适用于存储缓存、图像处理、工业控制等场景。此外,由于其非易失性仅限于供电状态,因此常用于需要临时数据存储的应用中,如数据缓冲、指令缓存等。
HY628100B-LLG70 适用于多种嵌入式系统和工业设备,包括但不限于工业控制与自动化系统、网络和通信设备(如路由器、交换机)、数据采集与处理模块、嵌入式处理器系统(如ARM、DSP系统)、图形控制器缓存、智能仪表与测试测量设备、汽车电子控制系统、视频处理与显示控制器等。该SRAM芯片在需要快速数据访问和高可靠性的场合中表现出色。
IS61LV128AL-70TLI、CY62148EVLL-70ZE、IDT71V128L13PFG、AS6C1008-70PCN、M5M51008FTP-70LLBFP