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H55S5122EFR-60M 发布时间 时间:2025/9/2 10:50:25 查看 阅读:7

H55S5122EFR-60M 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别。该芯片具有512MB的存储容量,采用x16位宽接口,工作电压为2.3V至3.6V,适用于需要中等容量高速存储的应用场景。该型号采用TSOP(薄型小轮廓封装)封装形式,适合在空间受限的电路板上使用。

参数

容量:512MB
  位宽:x16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  时钟频率:166MHz(对应-60M后缀)
  数据速率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:0°C至70°C
  封装引脚数:54

特性

H55S5122EFR-60M SDRAM芯片具备多个关键特性,使其在各种嵌入式系统和计算机外围设备中广泛应用。首先,其同步接口设计允许与系统时钟同步工作,提高了数据传输效率和系统稳定性。该芯片支持突发模式(Burst Mode),可实现连续数据的快速读取和写入,显著提升存储访问性能。
  其次,该器件的工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源环境下的适应能力,适合多种供电条件下的应用。此外,H55S5122EFR-60M 采用低功耗设计,在保持高性能的同时有效降低能耗,适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
  在封装方面,TSOP封装形式不仅节省空间,还有助于提高高频操作下的信号完整性和散热性能。该芯片的工作温度范围为0°C至70°C,适合在工业级环境条件下运行,广泛用于通信设备、工业控制、消费类电子产品等。
  另外,H55S5122EFR-60M 具备良好的兼容性,支持标准的SDRAM控制器接口,便于集成到现有的系统架构中。其存储单元采用动态刷新机制,确保数据在运行过程中保持稳定可靠。

应用

H55S5122EFR-60M 主要应用于需要中等容量高速存储的电子设备和系统,例如嵌入式控制系统、网络设备、图像处理模块、音频视频播放器、工业自动化设备以及各种便携式电子产品。由于其良好的性能和低功耗设计,该芯片特别适用于需要持续数据流处理和多任务操作的场景,如图像缓冲、数据缓存和临时存储等用途。

替代型号

IS42S16512A-6T、MT48LC16M512A2B4-6A、CY7C1380D-500BZC、K4S561632K-UCB0

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