H55S2562NFR-60M 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于5V供电的快速页面模式DRAM,具有256K x 4位的存储容量,采用28引脚SOJ(Small Outline J-Lead)封装。该器件广泛用于需要中等容量高速存储器的嵌入式系统、工业控制设备和老旧计算机外围设备中。其存取速度为60ns,适用于对成本和性能都有一定要求的应用场景。
容量:256K x 4位
电压:5V
封装类型:28引脚SOJ
存取时间:60ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行接口
刷新方式:自动刷新
组织结构:256K地址 x 4数据位
H55S2562NFR-60M芯片具备快速页面模式(Fast Page Mode)特性,允许在同一个行地址内连续访问多个列地址,从而提高数据读写效率。其256K x 4的存储结构适合用于需要中等容量存储的应用,如图形缓存、数据缓冲等。该芯片支持自动刷新功能,确保在不丢失数据的情况下维持存储内容的完整性,减少了外部控制器的负担。此外,其28引脚SOJ封装具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间,适合高密度电路设计。
该芯片的5V电源供电兼容性强,适用于多种老旧系统和嵌入式平台。其工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),确保在各种恶劣环境下稳定运行。H55S2562NFR-60M的并行接口设计使其适用于需要高速数据传输的传统系统架构中,虽然现代系统已逐步转向同步DRAM(如SDRAM),但在某些特定应用领域仍具有较高的实用价值。
H55S2562NFR-60M 主要应用于需要中等容量DRAM的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、视频采集与显示模块、以及老旧计算机系统中的数据缓存和临时存储。例如,它可作为图像处理模块中的帧缓存、工业自动化控制器中的运行时数据存储器、以及音频视频设备中的缓冲存储器。由于其快速页面模式特性和较高的稳定性能,该芯片在工业自动化、测试仪器和医疗设备中也有广泛应用。
IS62C256AL-60TLLI, CY7C199-60PC, HY57V2562FTP-6B