H55S2562NFR-60M 时间：2025/9/2 9:49:34 阅读：19

H55S2562NFR-60M 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于5V供电的快速页面模式DRAM，具有256K x 4位的存储容量，采用28引脚SOJ（Small Outline J-Lead）封装。该器件广泛用于需要中等容量高速存储器的嵌入式系统、工业控制设备和老旧计算机外围设备中。其存取速度为60ns，适用于对成本和性能都有一定要求的应用场景。

参数

容量：256K x 4位
　　电压：5V
　　封装类型：28引脚SOJ
　　存取时间：60ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口
　　刷新方式：自动刷新
　　组织结构：256K地址 x 4数据位

特性

H55S2562NFR-60M芯片具备快速页面模式（Fast Page Mode）特性，允许在同一个行地址内连续访问多个列地址，从而提高数据读写效率。其256K x 4的存储结构适合用于需要中等容量存储的应用，如图形缓存、数据缓冲等。该芯片支持自动刷新功能，确保在不丢失数据的情况下维持存储内容的完整性，减少了外部控制器的负担。此外，其28引脚SOJ封装具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电路设计。
　　该芯片的5V电源供电兼容性强，适用于多种老旧系统和嵌入式平台。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保在各种恶劣环境下稳定运行。H55S2562NFR-60M的并行接口设计使其适用于需要高速数据传输的传统系统架构中，虽然现代系统已逐步转向同步DRAM（如SDRAM），但在某些特定应用领域仍具有较高的实用价值。

应用

H55S2562NFR-60M 主要应用于需要中等容量DRAM的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、视频采集与显示模块、以及老旧计算机系统中的数据缓存和临时存储。例如，它可作为图像处理模块中的帧缓存、工业自动化控制器中的运行时数据存储器、以及音频视频设备中的缓冲存储器。由于其快速页面模式特性和较高的稳定性能，该芯片在工业自动化、测试仪器和医疗设备中也有广泛应用。