LBZT52MB33T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装(SMD)稳压二极管(齐纳二极管),专为低功耗应用设计。该器件采用先进的封装技术,能够在较小的封装中提供稳定的电压参考。LBZT52MB33T1G 的额定齐纳电压为 3.3V,适用于需要精确电压调节的电路,如电源管理、电压监测、电池供电设备等。该器件采用 SOD-523 封装,具有低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性等特点。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):3.3V
容差:±2%
额定功率:200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-523
最大反向漏电流(IR):100nA(@ Vz - 1V)
最大齐纳阻抗(Zz):90Ω
LBZT52MB33T1G 作为一款高精度、低功耗的齐纳二极管,其核心特性在于其稳定的电压参考能力和小尺寸封装设计。其 ±2% 的电压容差确保了在多种应用中都能提供可靠的电压调节。器件在 3.3V 的齐纳电压下工作时,具有较低的动态阻抗(Zz 最大为 90Ω),这有助于减少电压波动并提高系统的稳定性。此外,其最大反向漏电流仅为 100nA,在低功耗应用中表现出色,特别适合用于电池供电设备或需要节能设计的系统。
该器件采用 SOD-523 表面贴装封装,尺寸小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其适用于工业级和汽车电子等严苛环境。ON Semiconductor 的制造工艺确保了 LBZT52MB33T1G 在长期使用中具备良好的稳定性和可靠性。
LBZT52MB33T1G 广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子系统中。其典型应用包括便携式电子设备的电压调节、微控制器系统的电源监测、ADC/DAC 参考电压源、逻辑电平转换、电池充电电路以及各类传感器的偏置电压提供。此外,由于其低功耗特性,LBZT52MB33T1G 也常用于无线通信设备、智能穿戴设备、物联网(IoT)节点等对功耗敏感的应用场景。
在电源管理系统中,LBZT52MB33T1G 可用于构建低成本的电压基准源,确保关键电路的稳定运行。在工业控制和自动化系统中,该器件可作为传感器信号调理电路中的参考电压源,提高测量精度。同时,其优异的温度稳定性也使其适用于汽车电子系统,如车载诊断系统(OBD)、电池管理系统(BMS)等。
BZT52B33, MMBZ5233B, 1N4728A