时间：2025/9/1 16:22:58
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H55S1G22AFR-A3M 是一颗由SK Hynix生产的DRAM芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分，主要应用于需要高性能存储的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，提供较大的存储容量和较高的数据传输速率，适用于计算、网络和图形处理等对内存性能有较高要求的场景。
容量：2GB
类型：DRAM
接口类型：DDR5
电压：1.1V
封装类型：BGA
工作温度范围：0°C至85°C
H55S1G22AFR-A3M DRAM芯片具备多项先进的技术特性。其DDR5接口提供了比前代DDR4更高的带宽和更低的功耗，使其更适合高性能计算和低功耗应用。此外，该芯片的BGA封装形式有助于提高信号完整性和稳定性，同时减小PCB布局的复杂性。芯片的工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数工业和消费类应用环境。Hynix在DRAM技术上的持续创新也确保了该芯片在可靠性和性能方面的优异表现。
H55S1G22AFR-A3M广泛应用于高性能计算设备、服务器、图形工作站、高端个人电脑以及需要大内存带宽的嵌入式系统中。其低电压和高带宽特性也使其适合用于下一代数据中心和AI加速器。
H55S1G22AFR-A3M-A、H55S1G22AFR-A2E、H55S1G22AFR-A4N
