FMP13N60E 时间：2025/8/9 17:17:30 阅读：15

FMP13N60E 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高电压和高功率应用而设计，广泛用于电源转换器、电机驱动器、电池充电器、开关电源（SMPS）等场景。FMP13N60E 采用了先进的平面 DMOS 技术，具备出色的导通和开关性能，同时在高温下仍能保持稳定的工作状态。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：600V
　　最大漏极电流 Id：13A（25°C）
　　导通电阻 Rds(on)：0.45Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2~4V
　　最大功耗 Pd：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FMP13N60E 具备多项优良特性，适用于中高功率应用。首先，其漏源耐压高达 600V，能够有效应对高压电路中的瞬态电压冲击，提升系统稳定性与可靠性。其次，最大漏极电流为 13A，在适当的散热条件下可满足大多数功率转换需求。此外，该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 仅为 0.45Ω，确保在导通状态下功耗较低，有助于提高整体效率。
　　栅极阈值电压范围为 2~4V，使其适用于常见的 5V 和 10V 栅极驱动电路。FMP13N60E 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会出现性能衰减。其 TO-220 封装形式便于安装和散热管理，适合各种 PCB 设计环境。
　　该器件采用了先进的平面 DMOS 工艺技术，具有优异的开关性能和较低的开关损耗。这对于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制等应用尤为重要。此外，FMP13N60E 在高温下的性能表现稳定，具备较强的过载和短路承受能力，有助于提升系统的鲁棒性。

应用

FMP13N60E 被广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主功率开关，实现高效的能量转换。由于其高耐压和低导通电阻特性，非常适合用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器设计。此外，FMP13N60E 也常用于电机控制和驱动电路中，适用于无刷直流电机、步进电机等应用场景。
　　在工业自动化和控制设备中，FMP13N60E 可用于继电器替代、负载切换以及高频逆变器等电路。其高可靠性和良好的热性能使其成为工业电源、UPS（不间断电源）、电池充电器和 LED 驱动电源中的理想选择。此外，该 MOSFET 也适用于家用电器中的功率控制部分，如电磁炉、电饭煲等设备的电源管理模块。
　　由于其良好的开关特性和封装形式，FMP13N60E 也适用于高频逆变器、太阳能逆变器、电动工具和电动车控制器等新兴应用领域。