时间：2025/5/7 12:59:01
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H54GE6AYRHX270 是一款由海力士（SK Hynix）制造的大容量 NAND 闪存芯片，广泛应用于消费电子和工业领域。它采用先进的制程工艺，提供高存储密度和高性能数据传输速率。该芯片主要设计用于固态硬盘（SSD）、U盘、嵌入式存储设备等场景。
存储容量：512GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：最高可达 533MT/s
封装形式：BGA
I/O 引脚数：80
擦写寿命：约 3K 次
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
待机功耗：典型值 10mW
读取延迟：tR = 25μs
H54GE6AYRHX270 使用了 MLC（多层单元）技术，在保证高存储密度的同时降低了单位存储成本。
该芯片支持 Toggle DDR 3.0 接口协议，能够实现高速数据传输。
内置 ECC（错误检查与纠正）引擎，有效提高数据可靠性。
具备低功耗设计，非常适合对能效要求较高的移动设备。
其封装尺寸紧凑，适合空间受限的应用环境。
芯片具有较强的耐用性，适合长时间运行的工业级应用。
H54GE6AYRHX270 芯片广泛应用于以下领域：
消费类电子产品如 USB 驱动器和 SD 卡。
企业级和客户端固态硬盘（SSD）。
汽车电子和工业控制设备中的嵌入式存储系统。
需要大容量和高可靠性的数据记录设备，例如监控录像系统。
物联网设备中的本地存储解决方案。
H54GZ6AUGRX270, H54GQ6AFGRX270
