时间：2025/7/9 13:45:31
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H2TC2-112G2+ 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效能表现。
型号：H2TC2-112G2+
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：120V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.5mΩ（典型值）
栅极电荷：70nC（典型值）
总电容：2800pF（典型值-55℃ 至 +175℃
H2TC2-112G2+ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功耗。
2. 高开关速度设计，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，能够适应极端温度环境。
4. 内置ESD保护电路，提升器件的可靠性。
5. 小型封装选项，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
H2TC2-112G2+ 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器及同步整流电路。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。
H2TC2-112G2, IRF1404, FDP16N12
