H28U88301AMR是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其DRAM产品线的一部分。这款芯片设计用于提供高容量存储和高速数据存取,适用于需要高性能内存的电子设备,如计算机、服务器、嵌入式系统和消费类电子产品。
类型:DRAM
容量:256MB(具体容量可能因配置不同而有所变化)
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)或BGA(球栅阵列封装)
电压:2.3V至3.6V(典型工作电压范围)
数据速率:166MHz、200MHz或更高(根据具体版本)
接口:标准DRAM接口
工作温度范围:工业级温度范围(-40°C至+85°C)
位宽:16位或32位(根据具体配置)
时钟频率:支持同步时钟信号
刷新周期:64ms或自刷新模式
高性能:H28U88301AMR支持高速数据存取,能够满足高性能计算和实时应用的需求。
低功耗设计:该芯片采用低功耗技术,适用于对功耗敏感的设备,如便携式电子产品和嵌入式系统。
大容量存储:提供256MB或更高容量的存储选项,满足现代设备对内存容量的需求。
可靠性和稳定性:经过严格测试,确保在工业级温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境。
灵活的封装选项:提供TSOP或BGA封装,满足不同应用对空间和性能的要求。
兼容性:该芯片兼容多种主流的DRAM控制器和内存管理系统,便于集成到不同的系统设计中。
支持自刷新模式:在自刷新模式下,芯片可以自动管理内存刷新,减少外部控制器的负担,延长电池寿命。
计算机系统:用于台式机、笔记本电脑和其他计算设备的主内存。
服务器:适用于需要大容量内存和高性能数据处理的服务器系统。
嵌入式系统:广泛应用于工业控制、通信设备和自动化系统中的内存模块。
消费类电子产品:用于智能电视、游戏机、数字机顶盒等设备,提供高速内存支持。
网络设备:在路由器、交换机和其他网络设备中用于缓存和数据处理。
测试和测量设备:用于高性能测试设备和测量仪器,提供快速数据存储和处理能力。
HY57V281620FTP-6A
MT48LC16M2A2B4-6A
K4S641632E-UCB0