H28S7Q302BMR 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速SRAM产品系列,专为需要高性能和低功耗的应用设计。H28S7Q302BMR采用先进的CMOS工艺制造,提供3.3V电源供电,具备异步访问能力,适用于通信设备、工业控制系统、汽车电子和嵌入式系统等领域。
容量:256K x 16位
电压:3.3V
访问时间:10ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装尺寸:54-TSOP
接口类型:异步
最大工作频率:100MHz
功耗(典型值):150mA(待机时<10mA)
H28S7Q302BMR SRAM芯片具备多项显著特性,适用于对性能和可靠性要求较高的应用场景。首先,该芯片具有高速访问时间,最低可达10ns,使得其适用于高速缓存和实时数据存储需求。其次,其异步接口设计使其易于与多种处理器和控制器集成,无需复杂的时序控制电路。
该芯片采用低功耗CMOS工艺,在正常工作模式下的电流消耗较低,在待机模式下电流消耗可降至10mA以下,有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,H28S7Q302BMR支持宽温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业级和汽车级应用环境。
封装方面,H28S7Q302BMR采用54引脚TSOP封装,尺寸小巧,便于在紧凑型电路板设计中使用。其电气特性稳定,具备良好的抗干扰能力,确保数据在复杂电磁环境下可靠读写。整体而言,H28S7Q302BMR是一款高性能、低功耗、适用于多行业应用的SRAM芯片。
H28S7Q302BMR SRAM芯片广泛应用于多个高要求的电子系统领域。其高速访问能力和低功耗特性使其成为通信设备中高速缓存和临时数据存储的理想选择,例如在路由器、交换机和基站控制器中。在工业控制系统中,该芯片可用于存储实时数据和程序代码,满足PLC、工业PC和自动化设备的高性能需求。
在汽车电子领域,H28S7Q302BMR适用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载通信模块,因其工作温度范围广,能够适应严苛的车辆环境。此外,在嵌入式系统中,如智能电表、医疗设备和手持式仪器,该芯片为系统提供了快速、可靠的数据存储解决方案。由于其异步接口的通用性,它也常用于各种基于微控制器或FPGA的开发平台中,作为外部高速存储器使用。
CY62167VLL-55BZS, IS61LV25616-10B, IDT71V416S, A2B512K25KG6A, H28S7Q302BMR的替代型号还包括ISSI的IS61LV25616-10BG和Renesas自家的H28S7Q302BCR。