类型：NAND Flash
　　容量：8GB
　　接口：ONFI 3.0（Open NAND Flash Interface）
　　电压：2.5V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据读取速度：最高可达50MB/s
　　数据写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：最高可达3ms
　　耐久性：10,000次编程/擦除周期
　　存储温度：-55°C至+125°C

H27UEG8YEAYR-BC具备以下主要特性：
　　1. 高容量存储：该芯片提供8GB的存储容量，适用于需要较大存储空间的应用场景，如便携式设备和嵌入式系统。
　　2. 高性能接口：支持ONFI 3.0标准接口，确保与主控器的高速数据传输和兼容性。
　　3. 宽电压范围：可在2.5V至3.6V的电压范围内稳定工作，适应多种电源设计需求。
　　4. 宽工作温度范围：支持-40°C至+85°C的工作温度，适用于工业级环境和恶劣条件。
　　5. 高可靠性：具备10,000次编程/擦除周期的耐久性，确保长期使用的稳定性。
　　6. 快速读写性能：数据读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，满足实时数据存储需求。
　　7. 快速擦除操作：单个块的擦除时间仅为3ms，提高存储管理效率。
　　8. 高效纠错机制：支持ECC（错误校正码）功能，确保数据在传输和存储过程中的可靠性。
　　9. 小型化封装：采用TSOP封装形式，节省PCB空间，适用于小型化设备设计。

H27UEG8YEAYR-BC广泛应用于以下领域：
　　1. 固态硬盘（SSD）：作为存储介质，用于提升SSD的性能和可靠性。
　　2. 嵌入式系统：如工业控制设备、医疗仪器和车载电子系统，提供大容量存储支持。
　　3. 消费电子产品：包括平板电脑、智能电视和机顶盒等设备，用于存储操作系统和用户数据。
　　4. 存储扩展模块：如SD卡和USB闪存盘，提供高容量和高性能的存储解决方案。
　　5. 数据中心和服务器：用于缓存和日志记录等应用，提高系统的稳定性和数据安全性。

H27UCG8T2BTR-BC, H27UCG8VEM1R-BC