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H5TC2G83FFR-H9A 发布时间 时间:2025/9/2 3:30:59 查看 阅读:8

H5TC2G83FFR-H9A 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高带宽存储器,专为高性能计算、图形处理以及嵌入式系统设计。这款DRAM采用FBGA封装,具备高性能、低功耗和高可靠性的特点,广泛用于现代电子设备中,如智能手机、平板电脑、服务器以及高端显卡等。

参数

型号:H5TC2G83FFR-H9A
  容量:2 Gbit
  类型:DRAM
  封装:FBGA
  数据速率:1600 Mbps
  电压:1.35V(低电压DDR3L)
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  接口类型:x8/x16
  时钟频率:800 MHz

特性

H5TC2G83FFR-H9A 是一款基于DDR3L(低电压双倍数据速率第三代)技术的DRAM芯片,具有多项显著的性能特点。
  首先,该芯片的工作电压为1.35V,属于低功耗DDR3L(LVDDR3)标准,相比传统1.5V的DDR3内存,能够显著降低功耗,从而延长设备的电池寿命,特别适用于移动设备和对功耗敏感的应用场景。
  其次,该芯片支持高达1600 Mbps的数据传输速率,提供800 MHz的等效时钟频率,使其能够在高性能计算任务中保持快速的数据存取能力,适用于图形处理、嵌入式系统和高端移动设备。
  此外,H5TC2G83FFR-H9A 采用FBGA(细间距球栅阵列)封装技术,具有良好的散热性能和较高的封装密度,有助于提高系统稳定性和可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,确保在极端温度条件下的稳定运行。
  该芯片的接口支持x8/x16模式,提供了较高的灵活性,能够适应不同的系统架构需求。同时,该芯片具备自动刷新和自刷新功能,有助于在保持数据完整性的同时降低功耗。
  总体而言,H5TC2G83FFR-H9A 在性能、功耗和稳定性方面都表现出色,是一款适用于多种高性能和低功耗应用的DRAM芯片。

应用

H5TC2G83FFR-H9A 主要应用于对内存带宽和功耗有较高要求的设备中。
  首先,在移动设备领域,如智能手机和平板电脑,该芯片的低电压设计有助于延长电池续航时间,同时其高数据传输速率可支持高清视频播放、大型游戏运行等高性能需求。
  其次,在嵌入式系统中,例如工业控制设备、智能穿戴设备和物联网(IoT)设备,H5TC2G83FFR-H9A 能够提供稳定的内存支持,同时适应较为严苛的工作环境温度范围,确保系统在复杂条件下的可靠运行。
  此外,该芯片也广泛应用于图形处理设备,如高端显卡和GPU加速卡,其高带宽特性能够有效提升图形渲染速度和系统响应能力。
  在服务器和网络设备领域,H5TC2G83FFR-H9A 也可用于缓存和临时数据存储,支持快速的数据读写操作,提升整体系统性能。
  综上所述,H5TC2G83FFR-H9A 适用于多种需要高性能、低功耗和高可靠性的应用场景,涵盖消费电子、嵌入式系统、图形处理及工业控制等多个领域。

替代型号

H5TC2G83MFR-H9A, H5TC2G83BFR-H9C, H5TC2G83EFR-H9A

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