容量：8GB
　　封装类型：BGA
　　接口类型：ONFI 3.0
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　读取速度：最高可达500MB/s
　　写入速度：最高可达300MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约1.5ms
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　存储温度范围：-40°C 至 85°C

H27UDG8YFMXR-BC采用了先进的3D NAND技术，提供了更高的存储密度和更长的使用寿命。相比传统的2D NAND闪存，3D NAND技术通过堆叠多层存储单元来提高存储容量，同时降低了单位存储成本。该芯片支持ONFI 3.0接口标准，确保了高速数据传输能力，适用于需要高性能存储的应用场景。
　　该芯片具有较低的功耗，适合用于电池供电设备和对功耗敏感的应用。其1.8V / 3.3V的双电压设计使其能够在不同的工作条件下保持稳定运行。此外，H27UDG8YFMXR-BC还具有良好的数据保持能力，确保数据在断电情况下仍能安全保存。
　　在可靠性方面，H27UDG8YFMXR-BC具备强大的错误校正和磨损均衡算法支持，能够有效延长闪存的使用寿命并提高数据安全性。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，确保数据完整性。

H27UDG8YFMXR-BC广泛应用于多种需要高性能、低功耗存储的设备中。在固态硬盘（SSD）领域，该芯片可以作为主存储介质，提供高速读写性能和稳定的存储能力。在嵌入式系统中，H27UDG8YFMXR-BC可用于存储操作系统、应用程序和用户数据，适用于工业控制、医疗设备、车载电子系统等场景。
　　此外，该芯片也适用于存储卡、USB闪存盘等便携式存储设备，能够满足消费者对大容量、高速度存储的需求。在物联网（IoT）设备中，H27UDG8YFMXR-BC可以作为数据存储的核心组件，支持设备在复杂环境下的稳定运行。

H27UCG8VFM1R-BC, H5TC4G63AFR-PBA, H27U1T08QF2R-BC