品牌：SK Hynix
　　型号：H27UDG8VEMYRBC
　　类型：NAND闪存
　　容量：8GB
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 3.0
　　电压：1.8V - 3.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约为2ms
　　擦写寿命：约3000次擦写周期
　　数据保持时间：10年

H27UDG8VEMYRBC 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有较大的存储容量和较快的读写速度，适用于多种存储应用。其主要特性包括：
　　1. **高容量存储**：该芯片提供8GB的存储容量，能够满足嵌入式系统、SSD和存储卡等设备对大容量存储的需求。对于需要高密度存储的设备来说，这款芯片是一个理想的选择。
　　2. **低功耗设计**：H27UDG8VEMYRBC 采用低功耗技术，支持1.8V至3.3V的宽电压范围，能够在不同工作条件下保持稳定的性能。这种设计使其适用于对功耗敏感的便携式设备和电池供电系统。
　　3. **高速接口**：该芯片支持ONFI 3.0接口标准，提供较高的数据传输速率。读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，能够满足对数据吞吐量有较高要求的应用场景。
　　4. **可靠性和耐用性**：H27UDG8VEMYRBC 具有较强的耐用性，支持约3000次擦写周期，并且数据保持时间可达10年。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业环境和汽车电子系统中使用。
　　5. **灵活的封装**：该芯片采用TSOP封装形式，便于集成到各种电路板设计中，适用于多种应用场合。

H27UDG8VEMYRBC 主要应用于以下领域：
　　1. **固态硬盘（SSD）**：作为存储介质，H27UDG8VEMYRBC 可用于低端SSD和嵌入式SSD模块中，提供较高的存储密度和稳定的数据读写性能。
　　2. **嵌入式系统**：这款芯片广泛应用于工业控制系统、智能终端设备和物联网（IoT）设备中，作为存储操作系统和应用程序的介质。
　　3. **存储卡和USB闪存盘**：H27UDG8VEMYRBC 可用于制造microSD卡、CF卡和其他类型的存储卡，以及USB闪存盘，满足消费者对便携式存储的需求。
　　4. **汽车电子系统**：由于其宽温度范围和较高的可靠性，该芯片也适用于汽车导航系统、车载娱乐系统和车载记录设备等汽车电子应用。
　　5. **消费类电子产品**：这款芯片可用于智能手机、平板电脑和智能电视等消费类电子产品中，作为内部存储解决方案。

H27UCG8VEMZRBC, H27UCG8VEM1RBC