类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：9A
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.85Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：32nC（典型）
　　封装形式：TO-220

FMA09N65E具备多个关键特性，适用于各种功率管理应用。首先，其650V的高漏源电压额定值使其适用于高电压输入的开关电源和工业控制电路。其次，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率，同时减少热量产生，提高器件的热稳定性。
　　此外，FMA09N65E采用了先进的平面工艺和沟槽技术，确保了优异的开关性能和良好的导通特性。其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），可与多种驱动电路兼容，方便设计工程师根据具体需求进行优化选择。
　　在热管理方面，FMA09N65E采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够承受较高的功耗（最大125W），确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件还具备较强的抗过载能力和较高的短路耐受能力，适用于严苛的工作环境。
　　从应用角度看，FMA09N65E的高性能参数和可靠设计使其成为许多开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的理想选择。

FMA09N65E广泛应用于各种高电压和中等功率的电子系统中。在电源管理领域，该MOSFET常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，提供高效的能量转换能力。此外，它也适用于DC-DC降压或升压转换器，特别是在需要650V耐压能力的工业和通信电源中。
　　在电机控制方面，FMA09N65E可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、风扇控制、电动工具以及家用电器中的电机驱动模块。其低导通电阻和高电流能力确保了电机在高速和高负载条件下仍能高效运行。
　　该器件也常见于LED照明系统中的恒流驱动电路，尤其是在高电压LED灯串的控制中。此外，FMA09N65E还可用于电池充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和电源适配器等应用中。

FQA09N65C、FCH07N65S、FDPF09N65S、FDPF08N65S、SGH9N65TUFD