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H27UDG8VEMTR-BC 发布时间 时间:2025/9/1 14:15:31 查看 阅读:10

H27UDG8VEMTR-BC 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的NAND闪存芯片。该型号属于高密度存储解决方案,适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。H27UDG8VEMTR-BC 是一种8GB的NAND闪存芯片,采用TTR(Thin Thin Package)封装技术,具备小尺寸和高性能的特点。这款芯片广泛应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、消费类电子产品以及工业控制设备等领域。

参数

容量:8GB
  接口类型:ONFI 2.3
  工作电压:1.8V - 3.3V
  封装类型:TSOP
  数据读取速度:最高可达50MB/s
  数据写入速度:最高可达20MB/s
  擦除速度:最大为2ms per block
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H27UDG8VEMTR-BC 具备多项先进的技术特性,使其在众多NAND闪存芯片中脱颖而出。首先,它采用了ONFI 2.3接口标准,支持高速数据传输,提高了系统整体的性能。ONFI(Open NAND Flash Interface)标准确保了芯片与其他控制器之间的兼容性,降低了系统设计的复杂度。
  其次,该芯片支持1.8V至3.3V的宽电压范围,使其在不同的电源环境下都能稳定运行,适应性强。这对于需要在多种电源条件下工作的嵌入式设备和便携式电子产品尤为重要。
  再者,H27UDG8VEMTR-BC 采用了TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具备较小的封装体积和良好的散热性能。TSOP封装有助于降低芯片的功耗,提高其在高温环境下的稳定性,适用于空间受限的设计场景。
  此外,该芯片支持ECC(Error Correction Code)功能,能够检测和纠正数据错误,提高了数据存储的可靠性和数据完整性。这一特性对于需要长期稳定运行的工业控制系统和嵌入式设备至关重要。
  最后,H27UDG8VEMTR-BC 的擦除和写入速度表现优异,擦除时间为2ms per block,写入速度可达20MB/s,能够满足需要频繁读写数据的应用需求,如日志记录、数据缓存等。

应用

H27UDG8VEMTR-BC 适用于多种需要大容量非易失性存储的场景。首先,它广泛应用于固态硬盘(SSD)中,作为存储介质提供可靠的数据存储能力,尤其适用于入门级和中端SSD产品。
  其次,该芯片常用于嵌入式系统中,如路由器、智能电视、工业控制设备等,提供持久化的数据存储和程序存储功能。其宽电压范围和良好的温度适应性使其能够在复杂的工业环境中稳定运行。
  此外,H27UDG8VEMTR-BC 也广泛应用于消费类电子产品,如数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等,满足这些设备对存储容量和体积的双重需求。
  在数据存储模块和存储卡(如SD卡、CF卡)中,H27UDG8VEMTR-BC 也常被使用,提供经济高效的存储解决方案,适用于需要大容量存储但对成本敏感的应用场景。
  同时,该芯片还可用于车载电子系统、医疗设备、POS终端等对数据可靠性要求较高的行业设备中,确保关键数据的长期稳定存储。

替代型号

H27UCG8VFMTR-BC, H27UCG8VEMBR, H27UCG8V5DTR

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