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H27UDG8VEATR-BC 发布时间 时间:2025/9/1 13:48:33 查看 阅读:6

H27UDG8VEATR-BC是一款由SK Hynix生产的8GB NAND闪存芯片,采用V-NAND技术,具有高性能和高可靠性。该芯片广泛应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备和消费类电子产品中。H27UDG8VEATR-BC采用BGA封装,支持ONFI 3.2接口标准,适用于需要大容量存储和快速数据访问的应用场景。

参数

容量:8GB
  接口标准:ONFI 3.2
  封装类型:BGA
  电压范围:2.5V - 3.3V
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  读取速度:最高可达500MB/s
  写入速度:最高可达300MB/s
  擦除速度:块擦除时间约2ms
  存储类型:NAND Flash
  数据保持时间:10年

特性

H27UDG8VEATR-BC采用了SK Hynix先进的V-NAND技术,相比传统的平面NAND闪存,具有更高的存储密度和更长的使用寿命。该芯片的三维堆叠结构减少了单元间的干扰,提高了数据读写的速度和稳定性。此外,H27UDG8VEATR-BC具备低功耗特性,适合用于移动设备和低功耗系统中。
  该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中自动检测并纠正错误,确保数据的完整性。同时,H27UDG8VEATR-BC具备良好的兼容性,支持多种存储控制器和主控芯片,适用于多种存储解决方案。
  H27UDG8VEATR-BC的BGA封装设计有助于提高PCB布局的灵活性,并增强了抗震动和抗冲击能力,适用于工业级和汽车电子应用环境。

应用

H27UDG8VEATR-BC广泛应用于固态硬盘、嵌入式存储设备、工业计算机、汽车导航系统、高端智能手机和平板电脑等领域。该芯片的高性能和高可靠性使其成为企业级存储和车载系统的理想选择。

替代型号

H27UCG8VEMTR-BC, H27UCG8VEM1R-BC, H27UCG8VEM2R-BC

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