时间：2025/12/29 15:22:33
阅读：9
FDB6644S 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高性能功率开关应用而设计，适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关速度的电路。FDB6644S 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有优异的热性能和电流处理能力，广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流、电源管理模块和电机驱动系统等应用领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：120A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
输入电容（Ciss）：1850pF
反向恢复时间（trr）：25ns
FDB6644S MOSFET 具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。其 4.7mΩ 的 RDS(on) 特性非常适合用于高功率密度设计。
其次，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了快速的开关性能，减少了开关损耗，从而提高了系统效率。其反向恢复时间（trr）仅为 25ns，使其在高频开关应用中表现出色。
此外，FDB6644S 使用 PowerPAK SO-8 封装，该封装不仅体积小巧，而且具有良好的热管理能力，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。该封装也支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 120A，在 25°C 下可提供强大的电流承载能力，适合高功率开关应用。同时，其最大工作温度可达 175°C，具备良好的热稳定性，适用于严苛环境下的工作条件。
器件的输入电容为 1850pF，这一参数对栅极驱动电路的设计有一定影响，但通过合理的设计可以实现高效的驱动控制。
FDB6644S 主要用于各类高效率功率转换系统中。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流和主开关，显著提高转换效率并减少热损耗。在电源管理系统中，FDB6644S 可作为负载开关或稳压模块的核心元件，提供高效的电源控制。
该 MOSFET 还广泛应用于电机驱动器和功率放大器中，其高电流能力和快速开关特性使其非常适合用于 PWM 控制系统。此外，在电池管理系统（BMS）中，FDB6644S 可用于充放电控制，确保电池组的安全高效运行。
由于其优异的热性能和封装优势，FDB6644S 也适用于高密度电源模块、LED 驱动电源以及工业自动化控制系统中的功率开关部分。
SiR144DP, FDS6680, FDN5618, AO4406A
