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BC846AS-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:01:37 查看 阅读:17

BC846AS-7是一款由Diodes Incorporated生产的NPN型硅晶体管,属于通用小信号放大器和开关应用的半导体器件。该晶体管采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适用于高密度印刷电路板设计,广泛应用于便携式电子设备、通信模块、电源管理电路以及各类消费类电子产品中。BC846AS-7是BC846系列中的一个型号,具有良好的增益线性度和频率响应特性,适合在低电压、低功耗环境下工作。该器件符合RoHS环保标准,并且支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。其“-7”后缀通常表示卷带包装形式,适用于自动化贴片生产线,便于大规模批量生产使用。BC846AS-7的工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C结温范围内稳定运行,具备较高的热稳定性和可靠性,适合工业级和汽车电子等严苛应用场景。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):65V
  集电极-基极电压(VCBO):80V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):110 - 800(典型值200)
  过渡频率(fT):250MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23 (SC-59)
  安装类型:表面贴装
  极性:NPN
  最大漏电流(ICEO):0.1μA(典型)

特性

BC846AS-7具备优异的小信号放大性能,其直流电流增益(hFE)范围为110至800,表明该晶体管在不同工作条件下均能提供稳定的增益表现,特别适合用于模拟信号放大电路,如音频前置放大器、传感器信号调理电路等。该器件的过渡频率高达250MHz,意味着它能够在射频和高频应用中有效工作,例如在无线通信系统中的小信号放大或调制解调电路中发挥重要作用。由于采用了先进的平面外延工艺制造,BC846AS-7具有较低的噪声系数和良好的热稳定性,在长时间运行下仍能保持参数一致性。
  该晶体管的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极击穿电压为65V,使其适用于中等电压等级的开关控制应用,如LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换等。其SOT-23封装尺寸小巧(约2.9mm x 1.6mm x 1.1mm),有利于节省PCB空间,提高整机集成度,尤其适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等紧凑型电子产品。此外,该封装具有良好的散热性能,配合合理的布局设计可有效降低热阻,提升长期工作的可靠性。
  BC846AS-7还具备出色的开关特性,开关时间短(开启时间ton约10ns,关闭时间toff约50ns),能够实现快速的导通与截止切换,适用于高频脉冲宽度调制(PWM)控制场景。其低饱和压降(VCE(sat) ≤ 0.4V @ IC = 10mA)有助于减少功耗,提高能效。器件内部结构经过优化,具有较强的抗静电能力(ESD保护性能良好),提升了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。同时,该晶体管通过AEC-Q101车规认证的可能性较高,可用于部分车载电子模块,如车身控制单元、车载传感器接口等。

应用

BC846AS-7广泛应用于各类需要小信号放大或低功率开关功能的电子电路中。常见用途包括音频放大器的前置级设计,用于增强微弱输入信号;在传感器信号调理电路中作为缓冲器或增益级,提高信噪比和信号完整性。它也常被用作数字逻辑电路中的电平转换器,将来自微控制器的低电压信号转换为更高电压电平以驱动外部负载。在电源管理系统中,该晶体管可用于低压差稳压器(LDO)的反馈控制回路或作为使能开关元件。
  此外,BC846AS-7适用于LED指示灯或小型照明系统的恒流驱动电路,通过基极电阻精确控制集电极电流,实现亮度调节。在通信设备中,它可以作为射频小信号放大器的一部分,处理接收端的微弱信号。由于其高频响应能力强,也可用于振荡器、混频器等高频模拟电路中。在工业控制领域,该器件可用于光电耦合器的输出级驱动、继电器驱动电路或隔离接口电路中,实现电气隔离与信号传递功能。
  在消费类电子产品如手机、平板电脑、智能手表中,BC846AS-7因其小型化封装和低功耗特性而被广泛采用,用于摄像头模组控制、触摸屏驱动辅助电路、电池充电状态检测等功能模块。其高可靠性和稳定性也使其适用于医疗电子设备、测试仪器和便携式测量工具等对安全性要求较高的场合。

替代型号

[
   "BC846AW-7",
   "BC846BLT1G",
   "MMBT3904",
   "2N3904",
   "FMMT211",
   "ZXTN25100CFF"
  ]

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BC846AS-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)15nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)110 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC846ASDITR