时间：2025/9/2 10:03:03
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H27UCG8T2ETR 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储解决方案，适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。H27UCG8T2ETR 的容量为8GB，采用TSSOP封装形式，适用于各种便携式设备和嵌入式系统。这款NAND闪存芯片支持高速数据传输，具备良好的耐用性和可靠性，适用于消费类电子产品、工业控制设备以及存储卡等应用场景。
容量：8GB
电压：2.7V - 3.6V
封装类型：TSSOP
接口类型：NAND闪存接口
数据传输速率：最高可达50MB/s
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
页面大小：4KB
块大小：256KB
支持ECC：支持72位/1KB
最大编程时间：200μs
最大擦除时间：2ms
H27UCG8T2ETR 是一款高性能的NAND闪存芯片，采用了先进的半导体制造工艺，提供了稳定的数据存储能力。该芯片的存储容量为8GB，适合用于需要较大存储空间的设备。其页面大小为4KB，块大小为256KB，这种设计使得数据的读写和擦除操作更加高效。此外，该芯片支持72位/1KB的ECC（错误校正码）功能，可以在数据读取过程中自动检测并纠正错误，从而提高数据的可靠性和存储的稳定性。
在数据传输方面，H27UCG8T2ETR 支持高达50MB/s的读写速度，能够满足对数据传输效率有较高要求的应用场景。其工作电压范围为2.7V至3.6V，使得该芯片能够在不同的电源条件下稳定运行。封装形式为TSSOP，具有较小的体积和良好的散热性能，适合用于空间受限的便携式设备。
此外，H27UCG8T2ETR 的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的环境条件。最大编程时间为200μs，最大擦除时间为2ms，这使得该芯片在频繁的数据写入和擦除操作中仍能保持较高的性能。因此，H27UCG8T2ETR 是一款适用于多种应用场景的高性能NAND闪存芯片。
H27UCG8T2ETR 主要应用于需要大容量存储和高速数据传输的设备中。例如，它可以用于智能手机和平板电脑等移动设备中，作为系统存储或用户数据存储介质。在嵌入式系统中，该芯片可用于存储操作系统、应用程序和用户数据，满足设备对存储容量和性能的需求。此外，H27UCG8T2ETR 还可以用于存储卡（如SD卡、microSD卡）和USB闪存盘等便携式存储设备，提供可靠的数据存储解决方案。
在工业控制领域，H27UCG8T2ETR 可以用于数据记录设备、工业计算机和自动化控制系统中，满足工业环境对存储可靠性和耐用性的要求。该芯片还可以用于网络设备，如路由器和交换机，用于存储配置文件和日志数据。在消费类电子产品中，H27UCG8T2ETR 可以用于数字相机、音乐播放器和电子书阅读器等设备，提供高效的数据存储支持。
由于该芯片具备良好的性能和可靠性，它还可以用于车载电子系统，如车载导航设备和行车记录仪，确保数据在复杂环境下的稳定存储。总的来说，H27UCG8T2ETR 是一款适用于多种应用场景的高性能NAND闪存芯片。
H27UCG8T2BTR, H27UCG8T2ETR-BC, H27UCG8T2CTR
