时间：2025/9/1 16:04:32
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H27UCG8T2E 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。它属于消费级和工业级应用的存储解决方案，通常用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备、U盘、存储卡等需要高容量、高速度存储的设备中。该型号属于TLC（Triple-Level Cell）类型的NAND闪存，每个存储单元可以存储3位数据，从而实现更高的存储密度。
容量：8GB
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
存储温度范围：-40°C 至 +85°C
擦写周期：约1000次P/E
数据保持时间：10年
H27UCG8T2E NAND闪存芯片具有高存储密度和较低的单位成本，适合大规模数据存储需求。该芯片采用TLC技术，提高了单位面积内的存储容量，但相比SLC和MLC类型，其写入寿命和读写速度略低。为了延长使用寿命，通常需要配合高级的磨损均衡（Wear Leveling）算法和错误校正码（ECC）机制使用。该芯片支持ONFI 2.3标准接口，兼容性好，适用于多种主控芯片平台。此外，H27UCG8T2E的工作温度范围较宽，适用于常规工业环境下的稳定运行。
该芯片广泛应用于消费类电子产品如U盘、存储卡、SSD硬盘，也可用于工业自动化设备、车载导航系统、监控设备等对存储容量有较高需求的场合。其低成本高容量的特点，使其在需要大量数据存储但对写入寿命要求不是极端苛刻的应用场景中具有优势。
H27UCG8T2BTR-BC, H27UCG8T2MYR-BC, H27UCG8T2M
