时间：2025/5/10 9:50:12
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H27UCG8T2BTR-BC 是一款由海力士（SK Hynix）生产的NAND闪存芯片。该芯片采用MLC（多层单元）技术，主要应用于需要大容量存储的设备中，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘和嵌入式存储解决方案。这款芯片具有高可靠性和快速读写性能，支持广泛的工业和消费类应用。
类型：NAND Flash
存储容量：128GB
接口：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：WSON
页大小：16KB
区块大小：512KB
数据保留时间：10年
擦写周期：3000次
H27UCG8T2BTR-BC 芯片采用了先进的制程工艺制造，确保了较低的功耗和较高的存储密度。
其Toggle DDR 2.0接口提供了高达400MT/s的数据传输速率，显著提升了系统的整体性能。
该芯片支持ONFI（开放NAND闪存接口）规范，能够兼容多种主控芯片和系统架构。
此外，它还内置了ECC（错误检查与纠正）功能，可以有效提高数据的完整性和可靠性。
为了满足不同应用场景的需求，该芯片在设计上充分考虑了高低温环境下的稳定性，能够在-40°C到+85°C的温度范围内正常工作。
H27UCG8T2BTR-BC 主要应用于各种需要高性能和大容量存储的领域。
包括但不限于固态硬盘（SSD），用于个人电脑和服务器的数据存储；
USB闪存盘，提供便捷的移动存储解决方案；
以及嵌入式系统中的存储模块，如网络设备、工业控制设备和车载信息系统等。
同时，由于其良好的稳定性和可靠性，该芯片也广泛应用于监控录像机、数码相机和其他便携式电子设备中。
H27UCG8T2BTR-KC
H27UHG8T2BTR-BC
H27UCG8T2BTR-MC
