H27UBG8U5MYR-BC是一款由SK Hynix(海力士)生产的NAND闪存芯片,广泛应用于需要大容量存储的设备中。这款芯片以其高存储密度、低功耗和高可靠性著称,适用于消费电子和工业领域的多种存储需求。
类型:NAND Flash
容量:8GB
封装:TSOP
电压:2.7V - 3.6V
接口:ONFI 2.3
工作温度:-40°C ~ 85°C
H27UBG8U5MYR-BC NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺,确保了其在高密度存储环境下的稳定性和可靠性。其8GB的存储容量能够满足多种应用场景的需求,包括固态硬盘(SSD)、存储卡和USB闪存盘等。此外,该芯片支持ONFI 2.3接口标准,提供了高效的读写性能和兼容性。低功耗设计使其非常适合用于移动设备和便携式电子产品,延长了设备的电池寿命。工作温度范围为-40°C至85°C,使其能够在极端环境下正常运行,适应性强。
这款芯片的另一个显著特性是其高耐久性,支持多次擦写操作,确保长期使用的稳定性。同时,其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了电路板的集成度,便于在紧凑的设计中使用。
H27UBG8U5MYR-BC常用于需要大容量存储和高可靠性的设备中。例如,它广泛应用于固态硬盘、存储卡和USB闪存驱动器,以提供高效的存储解决方案。此外,该芯片也适用于工业控制系统、汽车电子设备和消费电子产品,如智能手机和平板电脑。其宽工作温度范围使其在汽车电子和工业应用中表现优异,尤其是在恶劣环境下需要稳定运行的场景。
H27UCG8V5MYR-BC, H27UCG8T1MYR-BC