GR355DD72W224KW01L 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等电力电子领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,适合在高效率、紧凑型设计中使用。
这款器件通过优化沟道结构和封装技术,能够显著降低功率损耗并提高系统的整体效率。
型号:GR355DD72W224KW01L
类型:N-Channel MOSFET
工作电压(Vdss):72V
连续漏极电流(Id):224A
导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ
栅极电荷(Qg):85nC
输入电容(Ciss):3020pF
最大功耗(Ptot):280W
结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247-3
1. 极低的导通电阻(1.6mΩ),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力(224A),支持大功率应用需求。
3. 快速开关性能,栅极电荷仅为85nC,适合高频操作。
4. 良好的热稳定性,在极端温度范围内(-55℃至+175℃)仍能保持优异性能。
5. TO-247-3封装,提供高效的散热路径和机械强度。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率级组件。
5. 工业自动化设备中的负载控制模块。
6. 汽车电子中的直流电机驱动和电源管理单元。
IRF7743
FDP5500
STP190N06LL
AO4404