时间：2025/9/1 16:48:20
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H27UBG8T2MYR-BCR是一款由SK Hynix生产的8GB (64Gb) 的NAND闪存芯片，采用先进的制造工艺和高性能架构设计，广泛应用于需要大容量存储的电子设备中。这款芯片支持高速数据读写，具有出色的可靠性和耐用性，适用于各种消费类和工业类电子产品。
存储容量：8GB (64Gb)
电压范围：2.3V - 3.6V
接口类型：Parallel NAND
数据传输速率：50MB/s
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H27UBG8T2MYR-BCR NAND闪存芯片具有多项卓越特性。首先，它采用64Gb的存储密度，能够提供大容量的数据存储解决方案，适用于需要高存储密度的应用场景。其次，芯片支持Parallel NAND接口，确保了高速的数据传输速率，最大可达50MB/s，这使得它在数据密集型操作中表现出色。此外，该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在多种电源环境下稳定运行。封装形式为TSOP，这种封装方式不仅有助于提高芯片的机械稳定性，还能有效减少电磁干扰，提高整体的可靠性。芯片支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，适合在严苛的工业环境和高温条件下使用。最后，H27UBG8T2MYR-BCR还具备良好的错误校正能力和耐久性，能够保证长期稳定的数据存储和读取性能。
H27UBG8T2MYR-BCR NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子市场，它常用于智能手机、平板电脑、数码相机和固态硬盘（SSD）等设备，为用户提供大容量的存储空间。在工业领域，该芯片可用于工业控制系统、数据采集设备和嵌入式系统，满足对稳定性和可靠性要求较高的应用需求。此外，该芯片还可用于汽车电子系统、医疗设备和智能家电等产品中，提供高效、可靠的存储解决方案。
H27UCG8T2MTR-BC
