ZXMN6A07ZTA是一款由Infineon(英飞凌)公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。其封装形式为SOT223,能够提供出色的散热性能和可靠的电气特性。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:18A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:45nC
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOT223
ZXMN6A07ZTA具备低导通电阻,从而降低了功率损耗并提高了整体效率。
其优化的开关性能使得在高频应用中表现优异,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
此外,该器件支持较宽的工作温度范围,适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
SOT223封装使其易于安装,并能提供高效的热量散发能力。
总体而言,这款MOSFET是追求高效能与可靠性的理想选择。
ZXMN6A07ZTA广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器
- 各种直流电机驱动电路
- 电池管理系统(BMS)
- 工业自动化控制设备
- 汽车电子系统的负载切换
- DC-DC转换器以及逆变器
由于其强大的电流处理能力和较低的导通电阻,该器件在需要高效功率传输的应用场合非常适用。
ZXMN6A07FTA, IRFZ44N, FDP55N06L