您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA 发布时间 时间:2025/6/6 11:08:59 查看 阅读:4

ZXMN6A07ZTA是一款由Infineon(英飞凌)公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。其封装形式为SOT223,能够提供出色的散热性能和可靠的电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:18A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:45nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT223

特性

ZXMN6A07ZTA具备低导通电阻,从而降低了功率损耗并提高了整体效率。
  其优化的开关性能使得在高频应用中表现优异,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
  此外,该器件支持较宽的工作温度范围,适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
  SOT223封装使其易于安装,并能提供高效的热量散发能力。
  总体而言,这款MOSFET是追求高效能与可靠性的理想选择。

应用

ZXMN6A07ZTA广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器
  - 各种直流电机驱动电路
  - 电池管理系统(BMS)
  - 工业自动化控制设备
  - 汽车电子系统的负载切换
  - DC-DC转换器以及逆变器
  由于其强大的电流处理能力和较低的导通电阻,该器件在需要高效功率传输的应用场合非常适用。

替代型号

ZXMN6A07FTA, IRFZ44N, FDP55N06L

ZXMN6A07ZTA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXMN6A07ZTA资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXMN6A07ZTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 1.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds166pF @ 40V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN6A07ZTR