H27UBG8T2MYR-BC 时间：2025/9/2 10:56:10 阅读：26

H27UBG8T2MYR-BC 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储器件，广泛用于需要大容量非易失性存储的设备中，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、存储卡和USB闪存驱动器。这款芯片采用了先进的制造工艺，具有高性能、低功耗和高可靠性，适用于工业级和消费类应用。

参数

型号: H27UBG8T2MYR-BC
　　类型: NAND Flash
　　容量: 8GB
　　接口类型: ONFI 2.3
　　电压: 1.8V / 3.3V
　　封装类型: TSOP
　　工作温度: -40°C 至 +85°C
　　读取速度: 最大 50MB/s
　　写入速度: 最大 25MB/s
　　擦除速度: 最大 2ms
　　

特性

H27UBG8T2MYR-BC 的主要特性之一是其8GB的存储容量，适用于中高端嵌入式应用和固态存储解决方案。该芯片支持ONFI 2.3接口标准，提供了与主控芯片兼容的良好接口性能。
　　此外，该NAND闪存支持1.8V和3.3V双电压供电，具备良好的电源适应能力，有助于降低系统功耗。其TSOP封装形式具有良好的散热性和机械稳定性，适合在工业环境中使用。
　　这款NAND芯片还内置了错误校正码（ECC）功能，支持多位错误纠正，确保数据的完整性和可靠性。其擦写寿命可达10,000次以上，适用于频繁读写的应用场景。此外，它支持坏块管理，有助于提高存储系统的稳定性和使用寿命。
　　在可靠性方面，H27UBG8T2MYR-BC的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境下的工业应用。

应用

H27UBG8T2MYR-BC 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、便携式电子设备、数据采集系统、存储扩展模块以及各种需要非易失性大容量存储的设备。由于其高可靠性和宽温特性，该芯片特别适合用于工业自动化、智能终端、车载系统和通信设备等对稳定性要求较高的应用场景。
　　此外，这款NAND闪存芯片也常用于固态硬盘（SSD）的存储单元扩展，以及作为嵌入式多媒体卡（eMMC）或原始NAND接口的替代存储解决方案。其高速读写能力和低功耗设计，使其成为便携式设备和物联网（IoT）应用的理想选择。
　　在消费类电子产品中，H27UBG8T2MYR-BC 可用于数字电视、机顶盒、智能摄像头和USB存储设备等产品中，提供稳定可靠的数据存储支持。