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H27UBG8T2MYR-BC 发布时间 时间:2025/9/2 10:56:10 查看 阅读:13

H27UBG8T2MYR-BC 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储器件,广泛用于需要大容量非易失性存储的设备中,如固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、存储卡和USB闪存驱动器。这款芯片采用了先进的制造工艺,具有高性能、低功耗和高可靠性,适用于工业级和消费类应用。

参数

型号: H27UBG8T2MYR-BC
  类型: NAND Flash
  容量: 8GB
  接口类型: ONFI 2.3
  电压: 1.8V / 3.3V
  封装类型: TSOP
  工作温度: -40°C 至 +85°C
  读取速度: 最大 50MB/s
  写入速度: 最大 25MB/s
  擦除速度: 最大 2ms
  

特性

H27UBG8T2MYR-BC 的主要特性之一是其8GB的存储容量,适用于中高端嵌入式应用和固态存储解决方案。该芯片支持ONFI 2.3接口标准,提供了与主控芯片兼容的良好接口性能。
  此外,该NAND闪存支持1.8V和3.3V双电压供电,具备良好的电源适应能力,有助于降低系统功耗。其TSOP封装形式具有良好的散热性和机械稳定性,适合在工业环境中使用。
  这款NAND芯片还内置了错误校正码(ECC)功能,支持多位错误纠正,确保数据的完整性和可靠性。其擦写寿命可达10,000次以上,适用于频繁读写的应用场景。此外,它支持坏块管理,有助于提高存储系统的稳定性和使用寿命。
  在可靠性方面,H27UBG8T2MYR-BC的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛环境下的工业应用。

应用

H27UBG8T2MYR-BC 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、便携式电子设备、数据采集系统、存储扩展模块以及各种需要非易失性大容量存储的设备。由于其高可靠性和宽温特性,该芯片特别适合用于工业自动化、智能终端、车载系统和通信设备等对稳定性要求较高的应用场景。
  此外,这款NAND闪存芯片也常用于固态硬盘(SSD)的存储单元扩展,以及作为嵌入式多媒体卡(eMMC)或原始NAND接口的替代存储解决方案。其高速读写能力和低功耗设计,使其成为便携式设备和物联网(IoT)应用的理想选择。
  在消费类电子产品中,H27UBG8T2MYR-BC 可用于数字电视、机顶盒、智能摄像头和USB存储设备等产品中,提供稳定可靠的数据存储支持。

替代型号

H27UCG8T2MYR-BC, H27UBG8T2M-BC, H27UBG8T2BTR-BC

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