SSP70N10A 时间：2025/6/10 16:53:55 阅读：6

SSP70N10A是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。SSP70N10A以其低导通电阻和高效率著称，能够有效降低系统功耗并提升整体性能。
　　其主要特点包括出色的热稳定性、快速开关特性和良好的电气性能。该产品采用TO-220封装形式，具备较强的散热能力，适合在高电流和高电压环境下工作。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：35A
　　导通电阻：0.024Ω
　　栅极电荷：38nC
　　输入电容：1720pF
　　最大功耗：115W
　　结温范围：-55℃至150℃

特性

SSP70N10A具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，仅为0.024Ω，可大幅减少导通损耗。
　　2. 高额定电压（100V）和大电流（35A），适用于多种高功率应用。
　　3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（38nC），有助于降低开关损耗。
　　4. TO-220封装设计提供优秀的散热性能，支持长时间稳定运行。
　　5. 工作温度范围广，从-55℃到150℃，适应各种严苛环境条件。
　　6. 热稳定性强，能够承受较大的瞬态电流冲击。

应用

SSP70N10A主要应用于以下几个领域：
　　1. 开关电源和适配器中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
　　4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
　　5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
　　6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率调节单元。