时间：2025/9/1 21:32:35
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H27UBG8T2B是东芝（Toshiba）生产的一款NAND闪存芯片，属于其广泛的H27U系列的一部分。该芯片的存储容量为8GB，采用56nm工艺制造，支持SLC（单层单元）和MLC（多层单元）模式，适用于需要高可靠性和高性能的存储应用。该芯片采用TSOP封装，适合嵌入式系统和工业设备使用。
容量：8GB
工艺技术：56nm
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 1.0兼容
工作温度范围：-40°C至+85°C
电压范围：2.7V至3.6V
读取速度：最大50MB/s
写入速度：最大20MB/s
擦除速度：最大3ms
数据保持时间：10年
编程/擦除周期：10,000次
H27UBG8T2B NAND闪存芯片具有多项显著特性。首先，其8GB的存储容量足以支持多种嵌入式和工业应用的需求，同时支持SLC和MLC模式，用户可以根据具体需求选择适当的模式以平衡性能和成本。该芯片采用ONFI 1.0接口标准，确保了与其他系统的兼容性，并提高了数据传输效率。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合在工业级温度范围（-40°C至+85°C）下运行，适用于恶劣的环境条件。
在性能方面，H27UBG8T2B提供高达50MB/s的读取速度和20MB/s的写入速度，能够满足对数据存取速度有一定要求的应用场景。此外，其擦除操作仅需3ms，大大提高了存储操作的效率。该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，具备良好的电源适应性，能够适应不同电源供应环境。
可靠性方面，H27UBG8T2B具备10,000次编程/擦除周期的耐用性，同时数据保持时间长达10年，确保数据的长期稳定存储。此外，其数据保持能力在断电情况下依然可靠，适合用于关键数据存储。
H27UBG8T2B广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中，例如工业计算机、数据采集系统、智能电表、医疗设备、车载导航系统以及消费类电子产品。由于其高可靠性和宽工作温度范围，该芯片特别适合在工业控制、自动化设备和户外环境中使用。此外，该芯片还可用于固态硬盘（SSD）、存储卡和USB闪存盘等存储设备，作为主存储或缓存使用，满足不同应用场景对存储容量和性能的需求。
H27UBG8T2B-A
