您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H27UBG8T2ATR

H27UBG8T2ATR 发布时间 时间:2025/9/2 10:42:53 查看 阅读:9

H27UBG8T2ATR是一种由SK hynix公司生产的NAND闪存芯片,具有高存储密度和出色的可靠性。这款芯片广泛应用于各种需要大容量存储和高性能数据存取的电子设备中,如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)和其他便携式设备。

参数

容量:8GB
  封装类型:TSOP
  接口:ONFI 2.3
  工作电压:2.7V - 3.6V
  擦写周期:10,000次
  数据保持时间:10年
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H27UBG8T2ATR是一款8GB的NAND闪存芯片,采用TSOP封装形式,提供高存储密度和稳定性。其接口符合ONFI 2.3标准,确保了高速数据传输和兼容性。该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,适用于多种电源设计。H27UBG8T2ATR支持10,000次擦写周期,确保了长期使用的耐用性。其数据保持时间为10年,即使在断电情况下也能可靠保存数据。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种环境条件下运行。这款芯片以其高性能、高可靠性和广泛的应用范围,成为许多电子设备的理想存储解决方案。

应用

H27UBG8T2ATR主要用于需要大容量存储和高性能的设备,如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)、数码相机、MP3播放器以及其他便携式电子产品。

替代型号

H27UCG8T2ATR

H27UBG8T2ATR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价