时间：2025/9/2 7:57:22
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H27UAG8T2BTR是一款由SK Hynix（海力士）生产的NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储解决方案，广泛用于需要大容量存储的电子设备中，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、存储卡以及嵌入式系统。H27UAG8T2BTR的具体容量为8GB，采用TTR封装形式，适用于多种消费类和工业类应用场景。其设计支持高效的数据读写操作，并具备良好的耐用性和可靠性。
容量：8GB
封装类型：TTR
接口类型：ONFI 2.3
电压范围：2.7V - 3.6V
读取速度：最大50MB/s
写入速度：最大20MB/s
擦除速度：最大2ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
H27UAG8T2BTR作为一款NAND闪存芯片，具备高存储密度和低功耗特性，适合便携式设备和嵌入式系统的应用需求。其ONFI 2.3接口标准确保了与主控器之间的兼容性，使得数据传输更加稳定高效。此外，该芯片的擦写速度较快，支持快速数据更新和管理，这对于需要频繁写入和擦除的应用场景尤为重要。
该芯片的电压范围为2.7V至3.6V，使其在不同供电条件下都能稳定运行，增强了其适用范围。同时，H27UAG8T2BTR具有较宽的工作温度范围（-40°C至+85°C），可以在恶劣环境条件下正常工作，非常适合工业级应用的需求。
在可靠性方面，H27UAG8T2BTR采用了先进的错误校正技术和磨损均衡算法，能够有效延长使用寿命并提高数据存储的稳定性。这些特性使得该芯片在长时间运行和高负载应用中表现出色，是许多嵌入式系统和存储设备的理想选择。
H27UAG8T2BTR主要应用于各种需要大容量非易失性存储的设备，包括但不限于固态硬盘、USB闪存盘、SD卡、eMMC模块、工业控制系统、车载导航系统以及消费类电子产品如智能手机和平板电脑。其高可靠性和宽温工作范围也使其适用于一些对环境要求较高的工业和车载应用场景。
H27UAG8T2BTR的替代型号包括H27UAG8T2MTR和H27UCG8T2BTR，这些型号在封装、容量或电气特性上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。
