时间：2025/9/1 14:00:03
阅读：14
H27UAG8T2BTR-BC 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的NAND型闪存芯片。该芯片属于高密度、非易失性存储器，适用于需要大容量数据存储的应用场景。它具备较高的读写速度和较长的使用寿命，是嵌入式系统、固态硬盘（SSD）和存储扩展卡等设备中常见的存储元件。
存储类型：NAND闪存
容量：8GB
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间约1.5ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
H27UAG8T2BTR-BC NAND闪存芯片采用先进的浮栅技术，具有较高的可靠性和耐用性。其主要特性包括：低功耗设计，适合电池供电设备；支持坏块管理，提高数据存储的稳定性；具有自动擦除和编程功能，简化了主控芯片的复杂度；同时具备ECC（错误校正码）功能，能够检测并纠正单比特错误，确保数据完整性。该芯片的TSOP封装形式有助于提高PCB布局的灵活性和稳定性。
该芯片广泛应用于各种嵌入式系统和存储设备中，例如数码相机、MP3播放器、便携式导航设备、工业控制系统和固态硬盘（SSD）。其高容量和低功耗特性使其成为移动设备和便携式电子产品中的理想选择。此外，H27UAG8T2BTR-BC也适用于需要长时间数据保存和频繁读写操作的工业和消费类应用。
H27UCG8T2BTR-BC, H27UBG8T2BTR-BC
