时间：2025/4/25 18:26:50
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H27U4G8F2DTR-BC是海力士（SK Hynix）生产的一款3V NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术，具备高密度存储能力。该芯片广泛应用于消费电子、嵌入式系统以及数据存储设备中，提供大容量和快速数据传输的解决方案。
该芯片具有良好的稳定性和耐用性，适用于需要长时间运行和大量数据读写的场景。
容量：4Gb
工作电压：2.7V ~ 3.6V
接口类型：Toggle DDR 2.0
封装形式：BGA 169
数据速率：最高可达200MB/s
擦写次数：3000次（典型值）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
引脚数：169
H27U4G8F2DTR-BC是一款高性能的NAND闪存芯片，其主要特性包括：
1. 支持Toggle DDR 2.0接口，能够实现高速数据传输。
2. 采用MLC技术，在保证性能的同时降低了成本，适合大规模应用。
3. 具备强大的纠错功能（ECC），确保数据存储的可靠性。
4. 内置坏块管理功能，有效延长使用寿命。
5. 提供宽泛的工作温度范围，适应多种环境下的应用需求。
6. 小型化的BGA封装设计，节省PCB空间，便于集成到紧凑型设备中。
H27U4G8F2DTR-BC因其大容量和高性能的特点，被广泛应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备的内部存储。
2. 固态硬盘（SSD）和其他数据存储设备。
3. 工业控制和医疗设备的数据记录与存储。
4. 车载娱乐系统和导航设备中的数据存储模块。
5. 数字摄像机、监控设备等需要持续高速写入的场景。
H27U8G8F2BTR-BC
H27U4G8F2ATR-BC
