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H27U4G8F2CTR-BC 发布时间 时间:2025/9/1 17:20:15 查看 阅读:11

H27U4G8F2CTR-BC 是一款由 Hynix(现为 SK hynix)制造的 NAND 闪存芯片。这款存储芯片具有较高的存储密度和可靠性,适用于多种嵌入式系统和存储应用。H27U4G8F2CTR-BC 属于 4Gbit(512MB)容量的 NAND Flash 存储器,采用 48-TSOP 封装形式,适合需要大容量存储且空间有限的设备。该芯片支持常见的 NAND 接口协议,能够提供较高的数据读写速度和较长的使用寿命。

参数

容量:4Gbit
  封装类型:48-TSOP
  接口类型:NAND Flash Interface
  电压范围:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据读取速度:最高 25ns 周期
  数据写入速度:最高 25ns 周期
  擦除时间:1ms 典型值
  编程时间:200μs 典型值
  擦除/编程耐久性:100,000 次典型值
  数据保留时间:10 年典型值

特性

H27U4G8F2CTR-BC 是一款高性能 NAND 闪存芯片,具有出色的存储能力和稳定性。其主要特性之一是支持 4Gbit 的存储容量,这使得它非常适合用于需要较大存储空间的嵌入式系统和数据存储设备。
  这款芯片采用了 NAND Flash 技术,具备较高的读写速度和较长的使用寿命。其接口支持标准的 NAND 协议,方便与各种控制器连接,从而简化了系统设计和集成过程。
  H27U4G8F2CTR-BC 的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,使其在多种电源条件下都能稳定运行。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,能够在严苛的环境条件下保持稳定性和可靠性,适用于工业级和汽车级应用。
  在性能方面,H27U4G8F2CTR-BC 提供了快速的数据读写能力。其数据读取和写入周期最快可达 25ns,这对于需要高速数据处理的应用非常关键。此外,芯片的擦除和编程操作分别需要 1ms 和 200μs 的典型时间,确保了高效的数据管理能力。
  该芯片还具备出色的耐用性,支持高达 100,000 次擦除/编程周期,能够满足长时间使用的需要。数据保留时间长达 10 年,确保了数据的长期安全性。
  封装方面,H27U4G8F2CTR-BC 采用 48-TSOP 封装形式,这种封装方式在空间受限的应用中非常实用,同时提供了良好的散热性能和电气特性。

应用

H27U4G8F2CTR-BC 的应用场景非常广泛,主要包括嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品和存储设备等。由于其高容量和高性能的特点,该芯片常用于需要大量数据存储和快速数据访问的场合,例如固态硬盘 (SSD)、USB 存储器、数码相机和多媒体播放器等设备。
  在工业自动化领域,H27U4G8F2CTR-BC 可用于数据记录和存储,支持长时间的稳定运行,适用于需要高可靠性和耐久性的工业控制系统。此外,该芯片的宽温工作范围使其非常适合在极端环境条件下运行,例如在户外设备和工业监测系统中。
  在消费类电子产品中,H27U4G8F2CTR-BC 可用于存储操作系统、应用程序和用户数据,提供快速的数据访问和可靠的存储性能。其小巧的封装形式也使其非常适合空间有限的便携式设备。
  在汽车电子领域,该芯片可用于车载信息娱乐系统、导航设备和车载监控系统等应用。其高可靠性和宽温工作范围确保了在复杂环境条件下的稳定运行,满足了汽车行业对电子元器件的严格要求。

替代型号

H27U4G8F5C, H27U4G8F2B, HY27US04481A, HY27UF08481A

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