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H27U2G8F2CTR 发布时间 时间:2025/9/2 11:11:03 查看 阅读:5

H27U2G8F2CTR 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的NAND闪存芯片,属于高密度存储解决方案的一部分。该芯片采用8位总线宽度,支持快速数据读写操作,适用于需要大容量存储和高性能数据处理的应用场景。H27U2G8F2CTR 的存储容量为256MB,工作电压为3.3V,采用TSOP封装形式,具备较高的可靠性和稳定性。

参数

容量:256MB
  电压:3.3V
  接口类型:8位并行NAND接口
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  读取时间:最大50ns
  写入时间:最大50ns
  数据保持时间:10年

特性

H27U2G8F2CTR 是一款标准的NAND闪存芯片,具备良好的读写性能和数据保持能力。其8位并行接口设计允许与多种控制器直接连接,适用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、存储卡和其他需要非易失性存储的设备。
  该芯片支持页编程和块擦除操作,具有较高的耐久性和擦写寿命。同时,H27U2G8F2CTR 采用CMOS工艺制造,具备低功耗特性,适合便携式设备和对功耗敏感的应用。
  此外,该芯片内置错误检测和纠正机制,可提高数据存储的可靠性。H27U2G8F2CTR 还支持多种操作模式,包括读取、写入、擦除和状态读取,便于系统集成和管理。

应用

H27U2G8F2CTR 主要应用于需要大容量非易失性存储的设备,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品(如数码相机、MP3播放器)以及固态硬盘(SSD)控制器模块。其高可靠性和兼容性使其成为多种存储解决方案的理想选择。

替代型号

H27U2G8F2CTR-BG, H27U2G8F2CTR-BC, K9F2G08U0A, MT29F2G08ABAF

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