时间：2025/5/8 14:52:38
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H27U2G8F2CTR-BI 是一款由海力士（SK Hynix）生产的闪存芯片，属于NAND Flash系列。该芯片采用MLC（多层单元）技术，提供大容量存储能力，适用于需要高密度数据存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘和嵌入式存储设备。
这款芯片具有较高的读写速度和可靠性，并支持多种接口模式以适应不同的系统架构需求。其封装形式为BGA（球栅阵列），能够有效减少体积并提高信号传输效率。
容量：256GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：400MB/s
封装形式：BGA
引脚数：169
工作温度范围：-40°C至+85°C
擦写寿命：3000次
H27U2G8F2CTR-BI 具备以下主要特性：
1. 高密度存储：单颗芯片即可提供256GB的存储容量，适合对存储空间有较高要求的应用场景。
2. 快速读写性能：支持Toggle Mode 2.0接口，理论数据传输速率可达400MB/s，显著提升系统运行效率。
3. 稳定性与可靠性：采用MLC技术，在确保较大存储容量的同时，兼顾了数据的稳定性和使用寿命。
4. 广泛的工作温度范围：能够在-40°C至+85°C环境下正常工作，适用于工业级和消费级应用。
5. 小型化设计：BGA封装方式减小了芯片体积，便于在紧凑型设备中使用。
6. 较低的工作电压：1.8V的工作电压有助于降低功耗，延长电池驱动设备的续航时间。
H27U2G8F2CTR-BI 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为核心存储介质，提供大容量和快速的数据访问能力。
2. USB闪存盘：用于制造高性能的USB存储设备。
3. 嵌入式系统：如工业控制、车载电子和物联网设备中的数据存储模块。
4. 消费电子产品：包括数码相机、媒体播放器等需要外部存储扩展的设备。
5. 数据记录设备：如监控摄像头、飞行数据记录仪等需要长时间可靠存储的应用场景。
H27UBG8T2BTR-KV, H27UCG8T2BTR-KV
