H27U1G8F2BTR-BC是海力士(SK Hynix)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片主要用于存储数据,具有高密度、低功耗和快速读写的特点。其广泛应用于嵌入式系统、消费类电子设备(如智能手机、平板电脑、固态硬盘等),以及需要大容量存储的场景。
类型:NAND Flash
存储容量:1Gb (128Mb x 8)
接口类型:Toggle Mode DDR
工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:WSON48
页大小:2KB
块大小:64页
I/O接口宽度:8位
H27U1G8F2BTR-BC采用先进的NAND Flash技术,具备以下特点:
1. 高性能:支持Toggle Mode DDR接口,能够实现更高的传输速度。
2. 低功耗设计:在待机和活动模式下都具有较低的功耗,适合便携式设备使用。
3. 小型化封装:采用WSON48封装形式,有助于节省PCB空间。
4. 可靠性:通过ECC(错误校验与纠正)机制提高数据可靠性。
5. 广泛的工作温度范围:能够在-40°C至+85°C范围内稳定运行,适用于多种环境条件下的应用。
H27U1G8F2BTR-BC适用于各种需要高效数据存储的应用场景,包括但不限于:
1. 智能手机和平板电脑中的内部存储。
2. 固态硬盘(SSD)和其他存储设备。
3. 嵌入式系统,例如工业控制设备、医疗设备和网络设备。
4. 消费类电子产品,如数码相机、摄像机等。
5. 物联网(IoT)设备,用于存储固件和用户数据。
H27UBG8T2BTR-NC, H27U4G8F2BTR-BC