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H27U1G8F2BTR-BC 发布时间 时间:2025/5/15 14:47:48 查看 阅读:9

H27U1G8F2BTR-BC是海力士(SK Hynix)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片主要用于存储数据,具有高密度、低功耗和快速读写的特点。其广泛应用于嵌入式系统、消费类电子设备(如智能手机、平板电脑、固态硬盘等),以及需要大容量存储的场景。

参数

类型:NAND Flash
  存储容量:1Gb (128Mb x 8)
  接口类型:Toggle Mode DDR
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:WSON48
  页大小:2KB
  块大小:64页
  I/O接口宽度:8位

特性

H27U1G8F2BTR-BC采用先进的NAND Flash技术,具备以下特点:
  1. 高性能:支持Toggle Mode DDR接口,能够实现更高的传输速度。
  2. 低功耗设计:在待机和活动模式下都具有较低的功耗,适合便携式设备使用。
  3. 小型化封装:采用WSON48封装形式,有助于节省PCB空间。
  4. 可靠性:通过ECC(错误校验与纠正)机制提高数据可靠性。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在-40°C至+85°C范围内稳定运行,适用于多种环境条件下的应用。

应用

H27U1G8F2BTR-BC适用于各种需要高效数据存储的应用场景,包括但不限于:
  1. 智能手机和平板电脑中的内部存储。
  2. 固态硬盘(SSD)和其他存储设备。
  3. 嵌入式系统,例如工业控制设备、医疗设备和网络设备。
  4. 消费类电子产品,如数码相机、摄像机等。
  5. 物联网(IoT)设备,用于存储固件和用户数据。

替代型号

H27UBG8T2BTR-NC, H27U4G8F2BTR-BC

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H27U1G8F2BTR-BC参数

  • 单元类型SLC
  • 块组织对称
  • 字组数目128M
  • 存储器大小1Gbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度18.4mm
  • 封装类型TSOP
  • 尺寸12 x 18.4 x 1mm
  • 引脚数目48
  • 最低工作温度0 °C
  • 最大工作电源电压3.3 V
  • 最长随机存取时间25000ns
  • 最高工作温度+70 °C
  • 每字组的位元数目8bit
  • 组织128M x 8 位
  • 长度12mm
  • 高度1mm