时间：2025/9/2 11:28:05
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H27U1G8F2BFR-BC 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种NAND闪存芯片。该芯片属于H27U系列，具有较高的存储密度和稳定性，适用于多种嵌入式存储解决方案。这款NAND闪存芯片的容量为1Gb（128MB），采用8位并行接口，适用于需要高可靠性和高性能数据存储的应用场景。
容量：1Gb
接口类型：8位并行 NAND 接口
工作电压：2.7V - 3.6V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：52引脚 TSOP
数据读取速度：最大支持约50MB/s
编程速度：约100μs/页
擦除速度：约2ms/块
存储温度范围：-40°C 至 +85°C
H27U1G8F2BFR-BC 芯片具有多个显著特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，它采用NAND闪存技术，具备高存储密度和较低的成本，适合大容量数据存储的需求。该芯片支持8位并行接口，使得数据传输速率较高，能够满足嵌入式系统中对快速读写的需求。
此外，H27U1G8F2BFR-BC 的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有较强的电压适应能力，适用于多种电源条件下的应用场景。该芯片的封装形式为52引脚TSOP，体积小巧，适合集成到紧凑的电路设计中。
在可靠性方面，H27U1G8F2BFR-BC 提供了良好的耐用性和数据保持能力，确保在长时间使用过程中数据的完整性。其编程和擦除操作具有较高的效率，编程时间为约100μs/页，擦除时间为约2ms/块，从而提高了存储操作的整体性能。
最后，该芯片的存储温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业级和车载级应用。
H27U1G8F2BFR-BC NAND闪存芯片广泛应用于各种嵌入式系统和存储设备中。常见的应用包括数码相机、MP3播放器、便携式导航设备（PND）、工业控制设备以及车载娱乐系统等。由于其高容量和高速读写特性，它也被用于固态存储设备（如SSD模块）和嵌入式多媒体控制器中。
在工业自动化和控制系统中，H27U1G8F2BFR-BC 可用于存储程序代码、配置数据以及运行时日志信息，确保系统在断电或重启后仍能保持关键数据。同时，该芯片的宽温工作范围使其适用于户外设备和极端环境中的数据记录器。
此外，该芯片还可用于消费类电子产品中的固件存储，例如智能电视、机顶盒和游戏设备等。其高可靠性确保了设备在长期使用过程中不会因存储介质问题而导致性能下降或数据丢失。
H27U1G8F2MFR-BC, H27U1G8F2BFB-BC, H27U1G8F2CFR-BC
