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H27S2G8F2CFR 发布时间 时间:2025/9/1 21:45:40 查看 阅读:4

H27S2G8F2CFR 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的NAND闪存芯片,属于其H27系列。这款芯片主要用于存储应用,适用于需要大容量存储和较高数据传输速度的设备。其主要特点是低功耗、高可靠性和较高的读写性能,适用于工业控制、消费电子、存储卡、固态硬盘等多种应用领域。

参数

容量:256MB
  封装类型:TSOP
  数据总线宽度:8位
  工作电压:1.8V - 3.3V兼容
  接口类型:ONFI 1.0兼容
  擦写寿命:10万次
  数据保存时间:10年
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H27S2G8F2CFR 是一款高性能的NAND闪存芯片,具有低功耗设计,适用于多种便携式设备和嵌入式系统。该芯片支持宽电压范围(1.8V至3.3V),使其能够在不同的系统中灵活使用,并具备较好的兼容性。
  其ONFI 1.0兼容接口确保了与主流控制器的无缝连接,简化了系统设计并提高了稳定性。该芯片的8位数据总线宽度提供了较高的数据传输速率,适合需要快速读写的应用场景。
  此外,H27S2G8F2CFR 具备10万次擦写寿命和10年的数据保存能力,确保了长期使用的可靠性和数据完整性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境。
  在制造工艺方面,该芯片采用成熟的NAND闪存技术,具备较高的集成度和成本效益,广泛用于固态存储设备、数码相机、MP3播放器、USB存储器等消费类电子产品中。

应用

H27S2G8F2CFR 主要应用于需要大容量存储和稳定数据读写的设备,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、手持终端、数码相机、MP3播放器、固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、存储卡(如SD卡、CF卡)等。由于其宽电压范围和良好的环境适应性,该芯片也常用于汽车电子、医疗设备和通信设备中。

替代型号

H27U1G8F2BTR、H27S2G8F2DHR、K9F2G08U0A、K9F2G08U0B、MT29F2G08AAA

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