类型：NAND闪存
　　容量：8GB
　　封装：BGA
　　接口：ONFI 2.3
　　工作电压：2.7V-3.6V
　　擦写寿命：10,000次/块
　　数据保持时间：10年
　　温度范围：-40°C至85°C

H27QDG8VEBIR-BCB 的核心特性之一是其高效的存储管理能力，支持ONFI 2.3标准接口，能够实现快速的数据读写操作。这款芯片采用了先进的MLC（多层单元）技术，每个存储单元可以存储两个比特的数据，从而在不增加芯片体积的情况下显著提升存储容量。
　　此外，该芯片具有良好的耐用性和数据保持能力，擦写寿命高达10,000次，数据保存时间可达10年。这使得它在需要频繁读写操作的应用中表现出色，如SSD固态硬盘、工业控制设备和高可靠性存储系统。
　　封装方面，H27QDG8VEBIR-BCB 采用BGA（球栅阵列）封装技术，有助于提高芯片的散热性能和电气性能，同时减少了PCB板的空间占用，适合高密度电路设计。
　　该芯片还支持宽温工作范围（-40°C至85°C），适合在各种恶劣环境中使用，例如工业现场、汽车电子系统和户外设备等。

H27QDG8VEBIR-BCB 主要用于各种嵌入式存储系统和高容量数据存储设备中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、SSD固态硬盘、工业控制设备、车载导航系统、数码相机和便携式媒体播放器等。
　　由于其高容量和良好的可靠性，这款芯片也常用于需要大容量数据存储和快速访问的应用场景，例如嵌入式操作系统、日志记录设备和数据采集系统。在工业自动化领域，它可以作为数据缓存或长期存储介质，支持复杂的数据处理任务。
　　此外，H27QDG8VEBIR-BCB 也适用于消费类电子产品，如智能电视、游戏机和可穿戴设备。其BGA封装设计能够满足现代电子产品对小型化和高性能的需求，同时提供足够的存储容量来支持多媒体内容的存储和播放。

H27U1G8F0C4B-BCB
　　H27UCG8VEM1B-BCB
　　H27QDG8VEM1R-BCB