H26M78002BFR 时间：2025/9/2 1:47:54 阅读：5

H26M78002BFR是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片广泛应用于需要高性能和大容量存储的电子设备中，例如计算机、服务器、嵌入式系统等。H26M78002BFR的存储容量为256Mb，支持高速数据存取，适用于需要快速处理大量数据的场景。

参数

容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　数据输入/输出模式：同步

特性

H26M78002BFR具有多项优异特性，适用于高性能存储系统。其高速时钟频率可达166MHz，提供快速的数据传输能力，适用于需要高带宽的应用场景。此外，该芯片采用低功耗设计，在保证高性能的同时，降低了整体功耗，适用于对能耗敏感的系统。H26M78002BFR还具备自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电或低功耗模式下仍能保持完整，同时支持突发模式（Burst Mode），提高数据读写效率。
　　该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在复杂环境下工作。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级应用的需求。此外，H26M78002BFR的16M x 16组织结构使其在数据存储和访问方面具有更高的灵活性，适用于多种系统架构。

应用

H26M78002BFR主要应用于需要高性能和大容量存储的电子设备中。例如，在工业控制设备中，它可用于缓存数据和临时存储程序代码。在通信设备中，H26M78002BFR可作为高速缓存存储器，用于处理大量数据流。此外，该芯片还常用于嵌入式系统、消费类电子产品（如数字电视和高端数码相机）以及汽车电子系统中，提供稳定可靠的存储解决方案。