H26M64208EMR 时间：2025/9/2 11:35:37 阅读：22

H26M64208EMR 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步DRAM类型。该芯片的命名规则中，H代表Hynix，26M代表存储容量和类型，64代表数据位宽为64位，208代表访问时间或时钟频率，EMR则是具体的封装与功能标识。该芯片广泛应用于需要较高数据访问速度和存储容量的电子设备中，例如工业控制设备、嵌入式系统以及老式计算机主板等。H26M64208EMR以其稳定的性能和可靠的存储能力，在多个领域中发挥了重要作用。

参数

存储类型：DRAM
　　容量：256Mb
　　数据位宽：x8
　　访问时间：5.4ns
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：0°C至70°C

特性

H26M64208EMR 芯片具有以下几个显著特性：
　　首先，它属于异步DRAM，不需要与系统时钟同步即可进行数据的读写操作，这使得其在一些对时序要求不严格的系统中具有较高的灵活性。其访问时间为5.4ns，意味着它能够在较短的时间内完成一次数据读取或写入操作，从而提升整体系统的数据处理效率。
　　其次，该芯片的数据位宽为x8，即每次数据传输可以处理8位的数据，适合需要中等数据带宽的应用场景。同时，256Mb的存储容量使其能够满足大部分嵌入式系统的内存需求。
　　此外，H26M64208EMR 使用3.3V的电源供电，这在当时的标准DRAM中属于较为常见的电压等级，有助于降低功耗并提高系统的稳定性。其TSOP（薄型小外形封装）封装形式具有较小的体积和较好的散热性能，适用于空间受限的电子设备。
　　最后，该芯片的54引脚设计使其在PCB布局时具有较高的兼容性，能够方便地集成到各种电路板中。工作温度范围为0°C至70°C，适合在一般工业环境和消费类电子产品中使用。

应用

H26M64208EMR 芯片主要应用于需要高性能DRAM存储的设备中，例如：
　　工业控制系统中，该芯片可用于提供临时数据存储和缓存功能，确保系统在运行过程中能够快速访问所需数据，提高整体响应速度。
　　在嵌入式系统中，H26M64208EMR 可作为主存储器或辅助存储器，支持操作系统和应用程序的运行，尤其是在对成本和空间有一定限制的场景中表现出色。
　　部分老式计算机主板或图形加速卡也可能使用该芯片作为显存或系统内存，以提升图形处理能力和系统运行效率。
　　此外，H26M64208EMR 也常用于测试设备、通信模块和医疗电子设备中，为这些设备提供稳定可靠的内存支持。