类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　最大功耗（Pd）：50W
　　封装形式：TO-220
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V

KF5N50IZ-U/HS具有多项优异性能，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压特性（Vds=500V）确保了器件能够在高压环境下稳定工作，适用于各类高压电源和逆变器系统。其次，低导通电阻（Rds(on) ≤ 3.5Ω）有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少散热需求。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，可在高负载条件下保持良好的工作状态，增强了系统的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准驱动电路进行控制，兼容多种控制IC。同时，其开启阈值电压在2V至4V之间，确保了良好的开关特性和较低的驱动功耗。
　　TO-220封装设计不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，适合需要长时间高功率运行的应用场景。KF5N50IZ-U/HS还具备良好的抗静电能力和短路保护能力，进一步提升了器件的稳定性和使用寿命。

KF5N50IZ-U/HS广泛应用于多种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高压电源转换和功率开关控制的理想选择。此外，该器件也适用于光伏逆变器、UPS不间断电源和LED照明驱动电源等场景。

IRF540N, FDP5N50, STF5N50Z