时间：2025/9/2 7:03:27
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H26M52104FMR是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。该芯片主要用于需要大容量内存和高速数据存取的应用场景，例如个人计算机、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备等。H26M52104FMR是一款采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装的DRAM芯片，具备较高的集成度和稳定性，适用于对数据存储和处理速度要求较高的电子系统。
容量：256MB
数据宽度：16位（x16）
电压：2.3V - 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C（工业级）
封装类型：FBGA
引脚数量：54
最大时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
H26M52104FMR具有多项优异的性能和功能特点，适合在多种复杂环境中稳定运行。首先，该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高集成度的优点，有助于降低整体系统的能耗并提升性能。其256MB的存储容量和16位的数据宽度，使其能够在数据密集型应用中提供快速的数据存取能力。
其次，H26M52104FMR的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），使其适用于不同电源设计的系统，提高了兼容性和灵活性。该芯片支持异步模式操作，能够与多种控制器配合使用，适应不同的系统架构需求。
此外，H26M52104FMR的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，满足工业级环境的严苛要求，适用于高温或低温环境下运行的设备，如工业控制、通信设备和车载系统等。其FBGA封装形式不仅减小了芯片的体积，还提升了散热性能和电气性能，确保在高负载情况下依然保持稳定。
该芯片还具备自刷新（Self-Refresh）功能，能够在待机模式下自动刷新数据，降低功耗并延长电池续航时间，非常适合移动设备和便携式电子产品。
H26M52104FMR广泛应用于需要中等容量存储和高速存取能力的各类电子设备。例如，在嵌入式系统中，它可作为主存储器或缓存使用，提升系统的响应速度和处理能力。在工业控制领域，H26M52104FMR可用于工业计算机、自动化控制系统和数据采集设备，支持实时数据处理和存储。
在通信设备方面，该芯片适用于路由器、交换机、基站控制器等设备，用于缓存和转发数据包，提高网络通信的效率和稳定性。在消费类电子产品中，如便携式媒体播放器、数码相机和智能家电中，H26M52104FMR也能提供可靠的数据存储和快速访问能力。
此外，该芯片也常用于测试设备、测量仪器以及医疗电子设备中，为这些高精度、高可靠性要求的设备提供稳定的数据处理支持。
IS61LV25616-10B4I、CY62148EVLL-45B、IDT71V124SA、A2B51D16A、H26M52104FMR的Pin-to-Pin兼容型号包括H26M52104FMP等。
