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H26M51002KPR 发布时间 时间:2025/5/23 0:27:08 查看 阅读:17

H26M51002KPR 是一款由海力士(SK Hynix)制造的DDR4 ECC内存模块芯片。该芯片主要用于服务器、工作站和其他需要高可靠性和高性能的计算设备中。其内置纠错码(ECC)功能能够检测和纠正单比特错误,从而提升数据完整性和系统稳定性。
  DDR4技术提供了更高的带宽、更低的功耗以及更优的性能表现,适用于对内存速度和容量要求较高的应用场景。

参数

类型:DRAM
  接口:DDR4
  容量:8GB
  位宽:72-bit (含8-bit ECC)
  工作电压:1.2V
  速度:2666MT/s
  封装形式:BGA
  温度范围:0°C 至 85°C
  ECC支持:支持

特性

H26M51002KPR采用了先进的制程工艺,确保了较低的功耗与高效的性能。相比前代DDR3产品,DDR4提供更快的数据传输速率和更大的密度,同时保持较低的工作电压。
  其内置的ECC功能可以实时检测并修正单比特错误,这对于需要长时间稳定运行的关键任务应用尤为重要。
  此外,这款芯片具备良好的散热性能,适合在密集计算环境中使用,例如数据中心或高性能计算环境。它还兼容多种主流主板和服务器平台,便于集成到现有系统中。

应用

H26M51002KPR广泛应用于企业级服务器、工作站、网络设备以及其他需要高可靠性存储解决方案的领域。具体包括:
  - 数据中心服务器
  - 高性能计算 (HPC) 系统
  - 工业控制设备
  - 医疗成像设备
  - 金融交易系统
  - 云计算基础设施
  这些应用通常要求连续运行且数据完整性至关重要,因此选择带有ECC功能的内存芯片是必不可少的。

替代型号

H26M51002KPT, H26M51002KPU

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