H26M51002KPR 时间：2025/5/23 0:27:08 阅读：166

H26M51002KPR 是一款由海力士（SK Hynix）制造的DDR4 ECC内存模块芯片。该芯片主要用于服务器、工作站和其他需要高可靠性和高性能的计算设备中。其内置纠错码（ECC）功能能够检测和纠正单比特错误，从而提升数据完整性和系统稳定性。
　　DDR4技术提供了更高的带宽、更低的功耗以及更优的性能表现，适用于对内存速度和容量要求较高的应用场景。

参数

类型：DRAM
　　接口：DDR4
　　容量：8GB
　　位宽：72-bit (含8-bit ECC)
　　工作电压：1.2V
　　速度：2666MT/s
　　封装形式：BGA
　　温度范围：0°C 至 85°C
　　ECC支持：支持

特性

H26M51002KPR采用了先进的制程工艺，确保了较低的功耗与高效的性能。相比前代DDR3产品，DDR4提供更快的数据传输速率和更大的密度，同时保持较低的工作电压。
　　其内置的ECC功能可以实时检测并修正单比特错误，这对于需要长时间稳定运行的关键任务应用尤为重要。
　　此外，这款芯片具备良好的散热性能，适合在密集计算环境中使用，例如数据中心或高性能计算环境。它还兼容多种主流主板和服务器平台，便于集成到现有系统中。

应用

H26M51002KPR广泛应用于企业级服务器、工作站、网络设备以及其他需要高可靠性存储解决方案的领域。具体包括：
　　- 数据中心服务器
　　- 高性能计算 (HPC) 系统
　　- 工业控制设备
　　- 医疗成像设备
　　- 金融交易系统
　　- 云计算基础设施
　　这些应用通常要求连续运行且数据完整性至关重要，因此选择带有ECC功能的内存芯片是必不可少的。